[实用新型]大通流电浪涌保护器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电子设备保护装置技术领域，特别是涉及一种大通流电浪涌保护器。

背景技术

电浪涌保护器被广泛用于全世界高附加值、高端电子电气设备的安全防护。模块式电浪涌保护器要经过B级、C级、D级三防护才能达到1000V左右，普通限压型浪涌保护器的漏电电流一般在10uA，随着时间的推移，漏电流会越来越大，直接影响SPD使用的稳定性，最终导致SPD失效。

模块式浪涌保护器采用单片压敏电阻作为主放电电路，由于单片压敏电阻的通流量一直不够理想(一般单片压敏电阻最大放电电流在20KA/8/20uS)，因压敏电阻有一致命的缺点——有不规则的泄漏电流，压敏电阻工作一段时间后，特别是性能较差的压敏电阻，因泄漏电流变大会加速老化或发热自爆。单一结构的压敏感电阻电浪涌保护器，反应时间长(＞25ns)，容易老化，动作几次后，漏电流会增大，从而导致压敏电阻过热，最终导致老化失效，电容较大。单一结构的放电管电浪涌保护器，残压高(2～4KV)，反应时间长(＞100ns)，动作电压精度较低，有工频续流，不能直接用在电源上做差模保护，虽然能满足一般电气化设备要求，但随着大规模集成电路的发展，电子科技、自动化控制技术以及信息技术在社会各行各业中的广泛应用，敏感的电气设备、精密的电子设备、信号传输设备业已成为各行各业生产正常运作的重要保障。如果浪涌保护器内部的元器件质量有问题、老化或失效、响应时间肯定会延长，浪涌保护器就不能抢先于被保护设备内部的过电压、放电元器件启动，就失出了保护意义。

实用新型内容

针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种大通流电浪涌保护器，使其解决了目前传统的模块式浪涌保护器残压高，漏电流大，响应时间长的技术难题。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种大通流电浪涌保护器，其中，包括温控电路A、温控电路B、压敏电阻矩阵电路A、压敏电阻矩阵电路B、瞬态二极管矩阵电路A、瞬态二极管矩阵电路B、前级矩阵电路A和前级矩阵电路B，所述压敏电阻矩阵电路A和所述温控电路A串行连接，所述压敏电阻矩阵电路A和所述温控电路A串连后所在的支路与所述瞬态二极管矩阵电路A、所述前级矩阵电路A并联；所述压敏电阻矩阵电路B和所述温控电路B串行连接，所述压敏电阻矩阵电路B和所述温控电路B串连后所在的支路与所述瞬态二极管矩阵电路B、所述前级矩阵电路B并联；所述压敏电阻矩阵电路A和所述压敏电阻矩阵电路B均采用压敏电阻并联结构。

优选的，所述前级矩阵电路A一端与地线相连接，另一端与相线相连接；所述前级矩阵电路B一端与零线相连接，另一端与相线相连接。

优选的，所述瞬态二极管矩阵电路A一端与地线相连接，另一端与相线相连接；所述瞬态二极管矩阵电路B一端与零线相连接，另一端与相线相连接。

优选的，所述压敏电阻矩阵电路A的一端与地线相连接，另一端与所述温控电路A的一端连接，所述温控电路A的另一端与相线连接；所述压敏电阻矩阵电路B的一端与零线相连接，另一端与所述温控电路B的一端连接，所述温控电路B的另一端与相线相连接。

优选的，所述压敏电阻并联结构的压敏电阻数量为至少4个。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型采用压敏电阻并联结构，多个压敏电阻并联给出的残压要远远小于单一压敏电阻的残压，残压越低，其安全性就越高，只有残压小到最大工作电压的2倍以下，才能保证被保护设备不被损坏；同时也解决了目前传统的模块式浪涌保护器残压高，漏电流大，响应时间长的技术难题。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型的实施例的压敏电阻并联结构示意图。

主要元件符号说明：

1-前级矩阵电路A       2-前级矩阵电路B

3-温控电路A           4-温控电路B

5-压敏电阻矩阵电路A   6-压敏电阻矩阵电路B

7-瞬态二极管矩阵电路A 8-瞬态二极管矩阵电路B

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图与实例对本实用新型作进一步详细说明，但所举实例不作为对本实用新型的限定。