[实用新型]改进型人工晶体有效

专利信息
申请号: 201420441263.1 申请日: 2014-08-05
公开(公告)号: CN204016558U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 张劲松 申请(专利权)人: 深圳市新产业眼科新技术有限公司
主分类号: A61F2/16 分类号: A61F2/16
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 胡海国;高丽晶
地址: 518057 广东省深圳市南山高新区南区科技*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 改进型 人工 晶体
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及医疗器械技术领域,尤其涉及一种改进型人工晶体。

背景技术

人工晶体是一种能植入眼内的人造透镜,用于取代因为白内障疾病而变混浊的人眼中的天然晶体。人工晶体的形态,通常是由一个圆形光学部件和周边的支撑袢组成。光学部件是由透明的高分子材料制成的。这些高分子材料可以是硬的,也可以是软的。由硬材料制成的人工晶体,必须通过一个较大的切口(通常大于6毫米)才能植入眼内,现在已逐步被淘汰。由软材料制成的人工晶体,也经常被称作可折叠人工晶体,可以在折叠或卷曲后通过一个较小的切口(从小于2毫米到3毫米)植入眼内。目前用于制备可折叠人工晶体的软性材料主要分为硅胶、亲水性丙烯酸酯(水凝胶)、和疏水性丙烯酸酯等几类。

后囊混浊,也称作二次白内障,是人工晶体植入后一种常见的并发症。后囊混浊是由于白内障手术后残留的晶体上皮细胞增殖迁移到人工晶体的后表面和后囊之间造成的。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于解决如何阻挡白内障手术后残留的晶体上皮细胞增殖迁移到人工晶体的后表面和后囊之间的问题。

为到达上述之技术目的,本实用新型提供一种改进型人工晶体,包括光学部及多个支撑袢,所述光学部具有在所述改进型人工晶体植入人眼后用以与人眼相面对的第一表面、以及用以与人眼相背对的第二表面,于所述第一表面上凸设有至少两个环形阻挡部,所述两个环形阻挡部沿着所述第一表面的周缘设置,位于外侧的环形阻挡部相对于所述第一表面的高度大于位于内侧的环形阻挡部相对于所述第一表面的高度,以使所述两个环形阻挡部均在所述改进型人工晶体植入人眼后与人眼接触。

优选地,每一环形阻挡部具有用以在所述改进型人工晶体植入人眼后与人眼接触的接触面,所述接触面在远离所述光学部的中心的方向上与所述第一表面呈逐渐远离设置。

优选地,所述第一表面呈平面设置,所述第一表面上且位于所述两个环形阻挡部之间凹设有环形凹槽。

优选地,所述支撑袢数量为两,所述光学部具有与所述第一表面和所述第二表面连接的侧表面,所述第二表面的靠近周缘处凹设有两个凹陷部,所述两个凹陷部的底部与所述侧表面邻接,所述两个凹陷部将所述第二表面的周缘进行等分,并且两个所述支撑袢关于所述两个凹陷部的中心的连线对称。

优选地,所述第二表面上沿所述凹陷部的周缘凸设有加强筋。

本实用新型提供的改进型人工晶体,包括光学部及多个支撑袢,所述光学部具有在所述改进型人工晶体植入人眼后用以与人眼相面对的第一表面、以及用以与人眼相背对的第二表面,于所述第一表面上凸设有至少两个环形阻挡部,所述两个环形阻挡部沿着所述第一表面的周缘设置,位于外侧的环形阻挡部相对于所述第一表面的高度大于位于内侧的环形阻挡部相对于所述第一表面的高度,以使所述两个环形阻挡部均在所述改进型人工晶体植入人眼后与人眼接触,以阻挡白内障手术后残留的晶体上皮细胞增殖迁移到人工晶体的第一表面(即背景技术所说的后表面)和后囊之间。

附图说明

图1为本实用新型提供的改进型人工晶体的一实施例的一视角的立体结构示意图;

图2图1所示的改进型人工晶体经过面A剖视后的剖视结构示意图;

图3为图2局部III的放大示意图;

图4为图1所示的改进型人工晶体的另一视角的立体结构示意图;

图5为图4局部Ⅴ的放大示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

以下结合说明书附图及具体实施例进一步说明本实用新型的技术方案。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供一种改进型人工晶体,请参阅图1至图5,于本实用新型提供的改进型人工晶体100的一实施例中,所述改进型人工晶体100包括光学部1及多个支撑袢2,所述光学部1具有在所述改进型人工晶体100植入人眼后用以与人眼相面对的第一表面11、以及用以与人眼相背对的第二表面12,于所述第一表面11上凸设有至少两个环形阻挡部13,所述两个环形阻挡部13沿着所述第一表面11的周缘设置,位于外侧的环形阻挡部13相对于所述第一表面11的高度大于位于内侧的环形阻挡部13相对于所述第一表面11的高度,以使所述两个环形阻挡部13在所述改进型人工晶体100植入人眼后均与人眼接触,以阻挡白内障手术后残留的晶体上皮细胞增殖迁移到人工晶体的第一表面11和后囊之间。

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