[实用新型]一种发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，所述芯片上设有凹槽，所述凹槽从所述透明导电层延伸至所述第一半导体层，所述凹槽内设有将所述芯片分割成多个子芯片的隔离槽，所述隔离槽从所述第一半导体层延伸至所述衬底，所述芯片上还设有一个第一电极、一个第二电极和多个电气连接结构，所述第一电极设于所述透明导电层上，所述第二电极设于所述凹槽的第一半导体层上，其特征在于，

所述芯片还包括透明绝缘层，所述透明绝缘层的厚度为100～1000nm，所述透明绝缘层至少覆盖所述凹槽的侧壁和所述隔离槽，而露出所述第一电极、所述第二电极和所述电气连接结构的设置处；

所述电气连接结构铺设于位于所述隔离槽内的所述透明绝缘层之上，且所述电气连接结构将一个所述子芯片的透明导电层与另一个所述子芯片的第一半导体层连接。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明绝缘层覆盖所述凹槽的侧壁、所述隔离槽和所述透明导电层的表面上，除设置所述第一电极、所述第二电极和所述电气连接结构的区域以外的部分。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明绝缘层的厚度为240nm。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明绝缘层为二氧化硅绝缘层、氮化硅绝缘层或氮氧化硅绝缘层。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一半导体层的顶面之间的锐角为15°～75°。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一半导体层的顶面之间的锐角为45°。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述隔离槽的侧壁与所述衬底层的顶面之间的锐角为15°～75°。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述隔离槽的侧壁与所述衬底层的顶面之间的锐角为45°。

9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，每个所述子芯片的发光区面积相同。