[实用新型]高性能DCS室外型腔体滤波器有效
申请号: | 201420429302.6 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN204103017U | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 马玉国 | 申请(专利权)人: | 上海鑫众通信技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200235 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 性能 dcs 外型 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型属于无线通讯射频技术领域,具体是涉及一种高性能DCS室外型腔体滤波器。
背景技术
DSC全名:DigitalCelluarSystemat 1800MHz,中文含义为1800MHz数字蜂窝系统,我国移动通信发展异常迅猛,一方面由于900MHz频率资源限制,部分地区出现了频率资源紧张、信道不足,话务密度过大等现象;另一方面利用多重频率复用方式、多层覆盖、调频等技术来增加容量,也存在诸多局限。
移动通讯从2G、3G到4G(LTE)的发展过程,是新系统和已有系统不断合路、兼容的过程。2013年12月的LTE牌照的发放,使得三大运营商尤其是移动,全国范围内的LTE建设已全部铺开,第一步是宏站建设,后继将是全国范围的室内覆盖建设。
LTE制式中的F频段为1880~1920MHz,与2G的DCS1800的频段1710~1870MHz之间的间隔只有10MHz,理论计算与实际试点都表现出两系统之间的干扰。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高互调、室外防尘防水型DCS腔体滤波器。
一种高性能DCS室外型腔体滤波器,包括谐振腔和所述谐振腔两侧的端口,所述谐振腔由腔体、腔体内部设置的谐振柱、耦合器和盖板组成,所述耦合器包括一容性耦合器和一感性耦合器,所述端口包括位于腔体两端的DIN型公头和DIN型母头。
优选地,所述腔体内设置有10个谐振柱。
优选地,所述容性耦合器为四角容性耦合器。
优选地,所述感性耦合器为三角感性耦合器。
优选地,所述盖板包括内盖板和外盖板。
优选地,所述外盖板设置有凹槽。
优选地,所述腔体防水等级为IP67。
优选地,所述腔体边缘设置有防水槽,配有防水垫圈。
本实用新型的有益效果:本实用新型高性能DCS室外型腔体滤波器,应用射频同轴谐振理论中的腔体谐振的原理,主要部件采用精密机加工工艺,并通过防水防尘工艺设计,实现了低插损、高互调、IP67的防护等级等高性能的DCS室外型腔体滤波器;四角容性耦合器和三角感性耦合器的设置,可在发射端过滤DCS杂散信号,从而改善LTE基站的干扰问题。
附图说明
图1为本实用新型高性能DCS室外型腔体滤波器的结构示意图。
图中标号说明如下:1-腔体,2-容性耦合器,3-感性耦合器,4-谐振柱,5-内盖板,6-外盖板,7-DIN型公头,8-DIN型母头。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
图1为本实用新型高性能DCS室外型腔体滤波器结构示意图,包括谐振腔和所述谐振腔两侧的端口。
谐振腔由腔体1、腔体内部设置的谐振柱4、耦合器和盖板组成,腔体1内设置有10个谐振柱4,腔体边缘设置有防水槽,配有防水垫圈;耦合器包括一容性耦合器2和一感性耦合器3,容性耦合器2为四角容性耦合器,感性耦合器3为三角感性耦合器;盖板包括内盖板5和外盖板6,外盖板6设置有凹槽。
端口包括位于腔体两端的DIN型公头7和DIN型母头8。
本实用新型滤波器,应用射频同轴谐振理论中的腔体谐振的原理,腔体1、内盖板5、外盖板6选用高导电率铝合金,采用精密机加工工艺。防水设计采用腔体1的边缘增加防水槽,并加装防水垫圈,通过外盖板6紧压,实现防水防尘。腔体1、谐振柱4、内盖板5组成谐振腔,10个谐振柱与腔体、盖板形成了10个谐振频点,通过腔体上谐振腔间的耦合窗口,形成滤波器的特性。设计采用三角感性耦合一只、四角容性耦合一只,在通带的右侧(1880MHz)产生两个零点,将带外抑制的性能达到60dB。
腔体1采用铝合金作为基材,通过精密机加工的方式,保证产品的表面平面度和光洁度,同时保证产品的批次的一致性,表明处理采用镀银工艺(镀底铜5微米,后镀银3微米),保证产品的插入损耗性能,以及互调特性。谐振柱选用黄铜材质,通过精密机加、表面镀银的工艺。
信号由DIN型公头7进入,通过谐振腔间的逐级耦合,由DIN型母头8输出,实现仅DCS1800型号的最小损耗的传输,并抑制LTE F制式所对应频段的信号的输出,进而可降低对DCS制式对LTE制式的干扰。
上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的范围进行限定,在不脱离本实用新型设计精神的前提下,本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
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