[实用新型]双体二次光学LED芯片封装结构有效
申请号: | 201420416469.9 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN204067422U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 许海鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市新光台电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62 |
代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 皮发泉 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二次 光学 led 芯片 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及绿色照明技术领域,尤其涉及一种双体二次光学LED芯片封装结构。
背景技术
目前,贴片式LED一般采用封装体,封装体由于体积小,重量轻,散射角度大,发光均匀性好,可靠性高,抗振能力强,高频性能好,易于实现自动化提高生产效率,所以广泛应用于照明、显示器、背光等领域。
现有的LED灯封装结构中,支架体采用塑料材质,封装胶采用硅胶,出光的定向性不好,也有将硅胶制作成椭圆形形状的,但是出光切线不规则,定向性很差。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处,本实用新型提供一种出光切线规整且定向性好的双体二次光学LED芯片封装结构。
为实现上述目的,本实用新型提供一种双体二次光学LED芯片封装结构,包括底层成型体、顶层封装体、LED晶片、正极金线、负极金线、正极焊层、负极焊层、第一光学透镜和第二光学透镜,所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上,所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层,且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层;所述顶层封装体与底层成型体连接,且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出;所述第一光学透镜置于顶层封装体内,且LED晶片全部容置在第一光学透镜内,所述第二光学透镜置于顶层封装体外,LED晶片的出光面经第一光学透镜和第二光学透镜的二次光学作用产生清晰分明的切线。
其中,所述第一光学透镜和第二光学透镜均为半圆形透镜,且LED晶片置于所述第一光学透镜和第二光学透镜的圆心处。
其中,底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质,且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构,所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
其中,所述底层成型体为聚乙烯材质,所述顶层封装体为环氧树脂材质,且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构,所述顶层封装体的表面设有SiO2增透薄膜。
其中,所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质,该底层成型体为透光结构,所述底层成型体和顶层封装体表面均设有SiO2增透薄膜。
其中,所述底层成型体为聚乙烯材质,所述顶层封装体为环氧树脂材质,该底层成型体为透光结构,所述底层成型体和顶层封装体表面均设有SiO2增透薄膜。
本实用新型的有益效果是:与现有技术相比,本实用新型提供的双体二次光学LED芯片封装结构,利用在顶层封装体的内外设置第一光学透镜和第二光学透镜,不仅提高本LED芯片的发光的定向性,而且出光切线更加规整,适用于对光线要求更加严苛的发光场所。另,本案采用层状双体结构,利用利用层状双体的中部夹持住发光源,使得发光源被抬高一段位移,这样出光角度更大;又利用封装的双焊层结构,并利用金线进行焊接导电,可以显著提高电连接的可靠性;又顶层封装体为环氧树脂材质,光强损失小,出光效率更高。
附图说明
图1为本实用新型的双体二次光学LED芯片封装结构的示意图。
主要元件符号说明如下:
10、底层成型体 11、顶层封装体
12、LED晶片 13、正极金线
14、负极金线 15、正极焊层
16、负极焊层 17、第一光学透镜
18、第二光学透镜
具体实施方式
为了更清楚地表述本实用新型,下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。
请参阅图1,本实用新型的双体二次光学LED芯片封装结构,包括底层成型体10、顶层封装体11、LED晶片12、正极金线13、负极金线14、正极焊层15、负极焊层16、第一光学透镜17和第二光学透镜18, LED晶片12、正极焊层15和负极焊层16置于底层成型体10的一面上, LED晶片12通过正极金线13电连接正极焊层15,且该LED晶片12通过负极金线14电连接负极焊层16;顶层封装体11与底层成型体10连接,且正极焊层15和负极焊层16有金属连接端露出;第一光学透镜17置于顶层封装体11内,且LED晶片12全部容置在第一光学透镜17内,第二光学透镜18置于顶层封装体11外,LED晶片12的出光面经第一光学透镜17和第二光学透镜18的二次光学作用产生清晰分明的切线。
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