[实用新型]一种垂直结构发光二极管

权利要求书

1.一种垂直结构发光二极管，其包括依次叠加的导电导热的支撑衬底、复合金属层、蓝宝石衬底、非掺杂层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、以及P型电极；所述蓝宝石衬底底部具有开孔至N型半导体层的盲孔，所述复合金属层通过所述盲孔将N型半导体层和支撑衬底电连接。 

2.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管，所述盲孔与所述P型电极在平行于N型半导体层(204)的方向上相互交错。 

3.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管，所述复合金属层包含N型欧姆接触层和隔离层，所述隔离层用于阻止N型欧姆接触层与支撑衬底之间的扩散。 

4.如权利要求3所述的垂直结构发光二极管，所述N型欧姆接触层与所述N型半导体层有部分区域接触。 

5.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管，所述蓝宝石衬底的厚度为20-120um。 

6.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管，所述支撑衬底为金属衬底或半导体衬底。 

7.如权利要求6所述的垂直结构发光二极管，所述支撑衬底的厚度为20-50um。 

8.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管，所述盲孔的形状是圆形、多边形或倒梯形开孔。 

9.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管，在所述P型电极与P型半导体层之间形成透明导电薄膜，所述透明导电薄膜与P型半导体层形成欧姆接触。