[实用新型]晶片封装体有效
申请号: | 201420411731.0 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN204045565U | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 何彦仕;刘沧宇;张恕铭;黄玉龙;林超彦;孙唯伦;陈键辉 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/98 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 | ||
技术领域
本实用新型有关于一种晶片封装技术,特别为有关于一种晶片封装体。
背景技术
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中,使其免受外界环境污染外,还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。
传统具有感测功能的晶片封装体,如图4所揭示的指纹辨识晶片封装体,是将指纹辨识晶片520置于印刷电路板510上,并通过多条接线530自晶片520上表面的接垫区焊接至印刷电路板510上,之后再以封装层540覆盖指纹辨识晶片520。由于接线530突出的高度使得封装层540的厚度无法降低,为了避免因封装层540太厚而影响感测区523的敏感度,封装后的指纹辨识晶片520的周围侧边高度设计成高于中央的感测区523,因此无法形成平坦表面。此外,由于接线530邻近于指纹辨识晶片520的边缘,因此容易于焊接过程中因碰触晶片边缘而造成短路或断线,致使良率下降。
因此,有必要寻求一种新颖的晶片封装体,以降低封装层的厚度,进而提升晶片封装体的感测灵敏度,并提供一种具有扁平化接触表面的晶片封装体。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种晶片封装体,包括一晶片,具有上表面、下表面及侧壁,其中晶片于上表面包括一感测区或元件区、及一信号接垫区。一浅凹槽结构,位于信号接垫区外侧,并沿着侧壁自上表面朝下表面延伸。浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口,且第二凹口位于第一凹口下方。一重布线层电性连接信号接垫区且延伸至浅凹槽结构。一接线,具有第一端点及第二端点,其中第一端点于浅凹槽结构内电性连接重布线层,第二端点用于外部电性连接。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该第一凹口具有一第一侧壁及一第一底部,且该重布线层延伸至该第一凹口的该第一侧壁及该第一底部。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该第二凹口自该第一凹口的该第一底部朝该下表面延伸,其中该第二凹口具有一第二侧壁及一第二底部。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该第一底部的横向宽度宽于该第二底部,该接线的该第一端点电性连接至位于该第一底部的该重布线层上。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该重布线层自该上表面延伸至该第二凹口的该第二侧壁及该第二底部。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该第一底部的横向宽度窄于该第二底部,其中该接线的该第一端点电性连接至位于该第二底部的该重布线层上。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该晶片包括一基底及一绝缘层,其中该第一凹口的该第一侧壁邻接该绝缘层及部分的该基底,该第二凹口的该第二侧壁邻接该基底。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,还包括一封装层,该封装层覆盖该接线及该上表面,并于该感测区或该元件区上方形成一扁平化接触表面,其中该第一底部的横向宽度宽于该第二底部,且该接线的该第一端点电性连接至位于该第一底部的该重布线层上,该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面,且该封装层于该感测区或该元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该第一凹口的该第一底部之间的距离与该第一凹口的深度的差值。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该晶片为一生物辨识晶片。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,还包括一封装层,该封装层覆盖该接线及该上表面,并于该感测区或该元件区上方形成一扁平化接触表面,其中该第一底部的横向宽度窄于该第二底部,该重布线层还延伸至该第二凹口的该第二侧壁及该第二底部,且该接线的该第一端点电性连接至位于该第二底部的该重布线层上,该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面,且该封装层于该感测区或该元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该第二凹口的该第二底部之间的距离与该浅凹槽结构的深度的差值。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该重布线层未延伸至该第二凹口的边缘。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,还包括一保护层,该保护层覆盖该重布线层,并于该浅凹槽结构内形成一开口,供该接线的该第一端点电性连接该重布线层。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该信号接垫区由该保护层覆盖。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该接线的该第二端点为焊接的起始点。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该重布线层未延伸至该浅凹槽结构的边缘。
根据本实用新型所述的晶片封装体,优选地,该接线的该第一端点及该第二端点低于该晶片的该上表面,该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面。
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