[实用新型]智能多通道复合半导体激光治疗仪有效

专利信息
申请号: 201420406194.0 申请日: 2014-07-22
公开(公告)号: CN204073134U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 高建平;何建华;罗寒谊;杭文根;杨华元;杜炯 申请(专利权)人: 平湖邑飞光电科技有限公司
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 潘振甦
地址: 314299 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 智能 通道 复合 半导体 激光治疗
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种智能多通道复合半导体激光治疗仪结构。更确切地说涉及一种具有实时激光输出功率检测系统,能够实现输出激光功率闭环控制、光功率连续可调与终端治疗光功率显示的复合半导体激光治疗仪结构及其使用方法。属激光医学领域。

背景技术

目前,用于穴位针灸治疗的激光医疗设备在国内外已有若干种在临床得到了广泛应用。但国内激光针灸临床治疗使用的激光以He-Ne激光为主,其它还有如650nm半导体激光等单一波长激光。如中国专利ZL200510011469.6“低强度半导体激光治疗仪”中提到用650nm半导体激光治疗疾病的方法等。这些波长范围的激光能够穿入人体组织深处,替代传统针灸治疗中的毫针(俗称激光针)。但是,这些激光源在临床治疗中存在着一个共同问题-无热效应,无法体现中医灸疗的作用,患者在治疗时无明显感观的刺激,如热刺激等。而灸疗是针灸疗法重要组成部分,《医学入门》指出:“药之不及,针之不到,必须灸之。因此,利用红外激光对人体的热效应,可以替代传统灸疗,实现临床激光灸的治疗,如810nm、980nm等半导体激光均是较理想的激光灸光源。因此,将二种对人体生物效应不相同的半导体激光组成复合半导体激光同时辐照于人体穴位,能够实现激光针和激光灸双重治疗的作用,从而引导出本实用新型的构思。虽然在《医疗设备信息》(2007年22卷第11期)发表的“双波长智能型半导体激光治疗仪的研制”,以及专利申请号为200910068777.0的“多波长输出半导体激光治疗仪”均提到了多波长输出,但它们均为用1根光纤可选择输出2种半导体激光,与本实用新型借助二种数值孔径不同的二根光纤组成的复合石英光纤器件或复合玻璃光纤束器件(两种器件另案申请)传输复合半导体激光治疗完全不相同。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种智能多通道复合半导体激光治疗仪的结构。它是一种具有实时激光输出功率检测、能够实现输出激光功率闭环控制、激光输出功率连续可调及终端治疗光功率显示等功能的复合半导体激光治疗仪。其中复合半导体激光借助复合石英光纤器件或复合玻璃光纤束器件传输,为了满足针灸临床多穴位的治疗需要,本实用新型的智能多通道复合半导体激光治疗仪有8组或多于8组相互独立的复合半导体激光治疗通道。

所述的智能多通道复合半导体激光治疗仪是由人机界面(触摸屏)、微控制系统、激光电源及复合半导体激光系统构成。其中复合半导体激光系统有多于8个相互独立的复合半导体激光治疗通道组成,每个治疗通道有A/D转换器、D/A转换器、650nm半导体激光器、810nm半导体激光器、半导体激光功率控制器、激光电源、光功率检测器、光纤耦合器、复合石英光纤器件或复合玻璃光纤束器件组成。

本实用新型的目的是通过下列原理实现的:一是提供对人体穿透能力强的650nm半导体激光作为激光针光源,二是提供对人体组织热效应好的810nm半导体激光作为激光灸光源,将二种激光同光路复合后以连续或脉冲的工作方式照射穴位,实现激光针与激光灸的双重治疗作用,达到无创痛针灸治疗的目的。

本实用新型的目的是这样实现的:智能多通道复合半导体激光治疗仪由人机界面(触摸屏)、微控制器控制、激光电源及复合半导体激光系统构成。复合半导体激光系统由8组或8组以上相互独立复合半导体激光治疗通道组成。根据临床实践、综合设备体积及成本等因素,以8~12个治疗通道为宜。下面以复合半导体激光系统中某1组治疗通道为例详细说明智能多通道复合半导体激光治疗仪的结构及控制方法。人机界面3通过RS232串口2与微控制系统1连接,微控制系统1的总线与D/A转换器5A相连,D/A转换器5A的另一输出端与810nm半导体激光功率控制器5D的控制输入端相连,以控制半导体激光器的输出功率。810nm半导体激光功率控制器5D的另一端则与810nm半导体激光器输出端5E相连,在810nm半导体激光器5E的输出端装有光功率检测器5F,光功率检测器5F则与A/D转换器5B的一端相连,A/D转换器5B通过总线与微控制系统1连接。由此,组成了810nm半导体激光器的灸疗激光功率闭环控制系统,D/A转换器5A输出模拟量能够精确地设定810nm半导体激光器5E的光功率输出大小。通过调节人机界面(触摸屏)1上的810nm半导体激光器的光功率参数激光,可以实现在200~1000mw范围内光输出光功率的无级调节与控制。

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