[实用新型]一种应用于LDO的过流保护电路有效
| 申请号： | 201420404374.5 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204028740U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杨洁;彭侨;邹江;阳芝林 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | G05F1/569 | 分类号： | G05F1/569 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 563000 *** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 ldo 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于LDO的过流保护电路，其特征在于：它包括LDO芯片，MOS管M1-M9、MP1、MP2，保险电阻R1、R2、RF1、RF2，其中，所述的LDO芯片输出端分别连接MP1、M1、M2、M3、M4的栅极和MP2的漏极，MP1、M1、MP2的源极和R2相连并作为电路的电压输入点，MP1的漏极连接RF1和R1为电路的输出点，M1的漏极连接M2的源极，M2的漏极连接M3的源极，M3的漏极连接M4的源极，M4的漏极连接M5的源极，M5的栅极、M8的栅极、M8的漏极、M7的漏极相连接，M8的源极连接R1的另一端，M5的漏极、M6的漏极、M6的栅极、M7的栅极、M9的栅极相连接，M9、M6、M7的源极接地，RF1的另一端连接RF2和LDO芯片的反馈输入负极，LDO芯片的正极输入基准电压，RF2的另一端接地，M9的漏极连接R2的另一端和MP2的栅极。
2.根据权利要求1所述的应用于LDO的过流保护电路，其特征在于：所述的MOS管M1-M4的尺寸相同。
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