[实用新型]一种去磷硅玻璃清洗机

说明书

技术领域

本实用新型涉及电池技术领域，尤其涉及一种制作晶硅太阳电池的去磷硅玻璃清洗机。

背景技术

太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上，形成新的空穴-电子对(V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅(Si)电池，三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu₂S, Cds/CdTe, Cds/InP, CdTe/Cu₂Te)，无机电池，有机电池等，其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅，包括正面绒面、正面p-n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。

晶硅太阳能电池的制造工艺有6个主要步骤，分别为制绒，扩散，去磷硅玻璃和背结，镀膜，丝网印刷，烧结。其中去磷硅玻璃和背结采用化学刻蚀的原理，业界使用的是去磷硅玻璃链式清洗机。该清洗机由7个槽构成，分别为刻蚀槽，水槽，碱槽，水槽，HF酸槽，水槽，风干槽。刻蚀槽的作用是去除硅片背面和边缘的N型硅；HF酸槽的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。

磷硅玻璃是硅片扩散后的副产物，是亲水的。当硅片通过去磷硅玻璃链式清洗机时，部分刻蚀液会从硅片边缘渗透到硅片的正面，硅片正面边缘的部分PN结会被刻蚀掉。因此，电池的开路电压和短路电流就会受到影响，最终降低电池的光电转换效率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种不会降低太阳电池的光电转换效率的去磷硅玻璃清洗机。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种去磷硅玻璃清洗机，用于清洗晶硅太阳能电池的硅片，依次包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和边缘的N型硅的刻蚀槽；所述HF酸槽设于所述刻蚀槽之前。 

作为上述方案的改进，所述HF酸槽和刻蚀槽之间还设有第一碱槽、第一风干槽；

所述HF酸槽、第一碱槽、第一风干槽和刻蚀槽依次相连。

作为上述方案的改进，所述HF酸槽和第一碱槽之间设有第一水槽。

作为上述方案的改进，所述第一碱槽和第一风干槽之间设有第二水槽。

作为上述方案的改进，所述HF酸槽、第一水槽、第一碱槽、第二水槽、第一风干槽、刻蚀槽依次相连。

作为上述方案的改进，所述去磷硅玻璃清洗机还包括第二碱槽、第二风干槽，所述第二碱槽、第二风干槽设于所述刻蚀槽之后。 

作为上述方案的改进，所述第二碱槽和刻蚀槽之间还设有第三水槽。 

作为上述方案的改进，所述第二碱槽和第二风干槽之间还设有第四水槽。

作为上述方案的改进，所述HF酸槽、第一水槽、第一碱槽、第二水槽、第一风干槽、刻蚀槽、第三水槽、第二碱槽、第四水槽和第二风干槽依次相连。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型提供了一种去磷硅玻璃清洗机，包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和边缘的N型硅的刻蚀槽，所述HF酸槽设于刻蚀槽之前。本实用新型去磷硅玻璃清洗机的HF酸槽设于刻蚀槽之前，硅片先经过HF酸槽的去磷硅玻璃处理，然后再经过刻蚀槽的去除硅片背面和边缘的N型硅处理，硅片正面的磷硅玻璃首先被去除掉后，硅片正面处于脱水的状态。当硅片再进入刻蚀槽时，刻蚀液不会从硅片边缘渗透到硅片正面。硅片正面边缘的PN结就不会被刻蚀掉，从而不影响电池的光电转换效率。

附图说明

图1是现有去磷硅玻璃清洗机的结构示意图；

图2是本实用新型去磷硅玻璃清洗机的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

参见图1，图1显示了现有去磷硅玻璃清洗机，该清洗机由7个槽构成，分别为刻蚀槽1，水槽2，碱槽3，水槽4，HF酸槽5，水槽6，风干槽7。

其中，刻蚀槽1的作用是去除硅片背面和边缘的N型硅；HF酸槽5的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。