[实用新型]一种监控多源火苗的CMOS图像传感器结构有效
| 申请号： | 201420393683.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN204011427U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李琛 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监控 火苗 cmos 图像传感器 结构 | ||
1.一种监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，包括多个感光区域，每个所述感光区域内的像素单元从上到下依次包括一微透镜、一微滤镜、一感光单元，其中不同的所述感光区域内的所述微滤镜所透过的光线的波长不同，且各所述感光区域的微滤镜所透过的光线的波长与各被监控物质的火苗的光谱响应特性一一对应；其中，不同所述感光区域的所述像素单元的微滤镜所透过的光线的波长的差大于等于50纳米。
2.根据权利要求1所述的监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述被监控物质的火苗的光谱响应特性为尖峰波，各所述感光区域的微滤镜所透过的光线的波长与各所述尖峰波的尖峰处的波长一一对应。
3.根据权利要求2所述的监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述微滤镜所透过的光线的波长范围为以对应的所述尖峰波的尖峰处的波长为中心的一定区间内。
4.根据权利要求3所述的监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述微滤镜透过的光线的波长范围为以对应的所述尖峰波的尖峰处的波长为中心的±5纳米区间内。
5.根据权利要求1所述的监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，各所述感光区域中的所述像素单元的个数相同。
6.根据权利要求1所述的监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述多个感光区域呈阵列分布，且各所述感光区域的微滤镜所透过的光线的波长沿所述阵列的特定方向递增。
7.根据权利要求6所述的监控多源火苗的CMOS图像传感器结构，其特征在于，所述多个感光区域分布为一行，各所述感光区域的微滤镜所透过的光线的波长沿该行从左到右依次递增。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
