[实用新型]一种具有防扩层的外延结构和发光二极管

权利要求书

1.一种具有防扩层的外延结构，其特征在于：有源层一侧依次为第一型限制层、第一型电流扩展层及第一电极，在有源层另一侧依次形成第二型限制层、第二型电流扩展层、衬底及第二电极；在第二型电流扩展层与衬底之间形成防扩层，所述防扩层至少包括第二防扩层，第二防扩层被氧化为氧化物介质膜，防扩层为无导电型掺杂的绝缘层。

2.如权利要求1所述的一种具有防扩层的外延结构，其特征在于：所述第二防扩层由单层膜外延结构组成，所述单层膜外延结构为砷化物材料。

3.如权利要求1或2所述的一种具有防扩层的外延结构，其特征在于：所述第二防扩层的厚度d满足范围80nm≤ d ≤350nm；且d满足（2k+1）λ/（4n₂），其中k≥0且为整数，λ为需要反射光的波长，单位nm，n₂为光的折射率。

4.如权利要求1所述的一种具有防扩层的外延结构，其特征在于：所述防扩层还包括第一防扩层，第一防扩层与第二型电流扩展层连接；第一防扩层为多层膜外延结构，第二防扩层由单层膜外延结构。

5.如权利要求4所述的一种具有防扩层的外延结构，其特征在于：第一防扩层形成布拉格反射层，低折射率材料层的膜厚度D₁=（2k+1）λ/（4n₁），其中k≥0且为整数；高折射率材料层的膜厚度D₂=（2k+1）λ/（4n₂）；其中k≥0且为整数；λ为需要反射光的波长，单位nm；n₁、n₂为光的折射率，且n₁<n₂。

6.一种具有防扩层的发光二极管，其特征在于：有源层一侧依次为第一型限制层、第一型电流扩展层及第一电极，在有源层另一侧依次形成第二型限制层、第二型电流扩展层、衬底及第二电极；在第二型电流扩展层与衬底之间形成防扩层，所述防扩层至少包括第二防扩层，第二防扩层被氧化为氧化物介质膜，防扩层为无导电型掺杂的绝缘层，在防扩层中形成导电通道，且在防扩层上形成金属反射镜，金属反射镜位于防扩层与衬底之间。

7.如权利要求6所述的一种具有防扩层的发光二极管，其特征在于：所述第二防扩层由单层膜外延结构组成，所述单层膜外延结构为砷化物材料。

8.如权利要求6或7所述的一种具有防扩层的发光二极管，其特征在于：所述第二防扩层的厚度d满足范围80nm≤ d ≤350nm；且d满足（2k+1）λ/（4n₂），其中k≥0且为整数，λ为需要反射光的波长，单位nm，n₂为光的折射率。

9.如权利要求6所述的一种具有防扩层的发光二极管，其特征在于：所述防扩层还包括第一防扩层，第一防扩层与第二型电流扩展层连接；第一防扩层为多层膜外延结构，第二防扩层由单层膜外延结构。

10.如权利要求9所述的一种具有防扩层的发光二极管，其特征在于：第一防扩层形成布拉格反射层，低折射率材料层的膜厚度D₁=（2k+1）λ/（4n₁），其中k≥0且为整数；高折射率材料层的膜厚度D₂=（2k+1）λ/（4n₂）；其中k≥0且为整数；λ为需要反射光的波长，单位nm；n₁、n₂为光的折射率，且n₁<n₂。