[实用新型]基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件

权利要求书

1.基于折叠漂移区的SOI耐压结构，包括自下而上依次叠放的衬底层(8)、介质埋层(9)和有源层(4)，其特征在于：所述有源层(4)内还设有叉指介质槽(15)；该叉指介质槽(15)由至少一个从有源层(4)表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面(9)向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层(4)的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内(4)相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。

2.根据权利要求1所述基于折叠漂移区的SOI耐压结构，其特征在于：所述下延介质槽呈矩形、梯形和/或三角形；所述上延介质槽呈矩形、梯形和/或三角形。

3.根据权利要求1所述基于折叠漂移区的SOI耐压结构，其特征在于：所述下延介质槽和上延介质槽为一对一间隔设置。

4.根据权利要求1所述基于折叠漂移区的SOI耐压结构，其特征在于：所述介质埋层(9)上开有用于散热的硅窗口。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述基于折叠漂移区的SOI耐压结构所设计的基于折叠漂移区的SOI功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层(8)、介质埋层(9)和有源层(4)；所述有源层(4)内的两侧上边角处设置有源区(2)、沟道区(7)和漏区(5)；源区(2)和沟道区(7)相贴，并同时设置在有源层(4)的一侧上边角处；漏区(5)则设置在有源层(4)的另一侧上边角处；有源层(4)的表面设有源电极(1)、栅电极(3)和漏电极(6)；源电极(1)覆于源区(2)的正上方，栅电极(3)同时覆于源区(2)和沟道区(7)的上方；漏电极(6)覆于漏区(5)的上方；其特征在于：所述有源层(4)内还进一步设有叉指介质槽(15)。

6.根据权利要求1～4中任意一项所述基于折叠漂移区的SOI耐压结构所设计的基于折叠漂移区的SOI功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层(8)、介质埋层(9)和有源层(4)；所述有源层(4)内的两侧上边角处设置有阴极区(2)、沟道区(7)和阳极区(18)；阴极区(2)和沟道区(7)相贴，并同时设置在有源层(4)的一侧上边角处；阳极区(18)则设置在有源层(4)的另一侧上边角处；有源层(4)的表面设有阴极(16)、栅电极(3)和阳极(17)；阴极(16)覆于阴极区(2)的正上方，栅电极(2)同时覆于阴极区(2)和沟道区(7)的上方；阳极(17)覆于阳极区(18)的上方；其特征在于：所述有源层内处还进一步设有叉指介质槽(15)。

7.根据权利要求1～4中任意一项所述基于折叠漂移区的SOI耐压结构所设计的基于折叠漂移区的SOI功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层(8)、介质埋层(9)和有源层(4)；所述有源层(4)内的两侧上边角处分别设置有阴极区(2)和阳极区(18)；有源层(4)的表面设有阴极(16)和阳极(17)；阴极(16)覆于阴极区(2)的正上方；阳极(17)覆于阳极区(18)的上方；其特征在于：所述有源层(4)内处还进一步设有叉指介质槽(15)。