[实用新型]反激变换器的软开关电路有效
| 申请号: | 201420382629.2 | 申请日: | 2014-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN203942450U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
| 发明(设计)人: | 韩军良;王大虎;白万备 | 申请(专利权)人: | 河南理工大学 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/32 |
| 代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
| 地址: | 454000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激变 开关电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及电力电子技术领域,特别涉及一种反激变换器的软开关电路。
背景技术
反激变换器由于结构简单、成本低廉、器件数量少、易于控制、支持多种输出电压等优点,在小功率电源、小功率逆变器等场合普遍使用。近年来,为了实现更高的效率和更小的体积,变换器的工作频率有了很大的提高。然而,随着工作频率的不断上升,开关频率所产生的开关损耗成为制约变换器转换效率的一个重要瓶颈。传统的反激变换器工作在硬开关状态,开关损耗较大、电磁干扰强、效率较低。
发明内容
本实用新型旨在提出一种反激变换器的软开关电路,为反激变换器提供一种电路实现简单、控制方便、工作可靠的软开关电路。
本实用新型通过以下技术方案实现。
一种反激变换器的软开关电路,包括反激变压器T1、主开关器件VT1、谐振电容C1和辅助开关器件VT2。所述主开关器件VT1为N沟道MOSFET或IGBT,所述辅助开关器件VT2为P沟道MOSFET。所述反激变压器T1原边的同名端与输入电源的正极连接,所述反激变压器T1原边的非同名端与所述主开关器件VT1的漏极(集电极)、所述谐振电容C1的一端连接,所述谐振电容C1的另一端与所述辅助开关器件VT2的源极连接,所述主开关器件VT1的源极(发射极)、所述辅助开关器件VT2的漏极与输入电源的负极连接。
还包括第一驱动电路、第二驱动电路和控制单元。所述主开关器件VT1的栅极与第一驱动电路的输出端连接,第一驱动电路的输入端与控制单元连接;所述辅助开关器件VT2的栅极与第二驱动电路的输出端连接,第二驱动电路的输入端与控制单元连接。
在控制策略上,所述主开关器件VT1与所述辅助开关器件VT2的开通、关断时序为反相关系。
上述的反激变压器T1、主开关器件VT1以及副边的整流电路构成了基本的反激变换器,所述谐振电容C1与所述辅助开关器件VT2、反激变压器T1的漏感构成了准谐振电路,为所述主开关器件VT1的零电压开通创造了条件。当所述主开关器件VT1关闭时,所述辅助开关器件VT2导通,谐振电容C1构成了主开关器件VT1关断时的尖峰电压吸收电路,降低了主开关器件VT1的电压应力,防止了主开关器件VT1的过压损坏。此时,所述谐振电容C1与所述辅助开关器件VT2、反激变压器T1的漏感构成了准谐振电路,反激变压器T1的漏感中的能量对所述谐振电容C1进行充电,当所述谐振电容C1两端的电压达到了峰值时,谐振电容C1开始对反激变压器T1的漏感进行放电,通过谐振电容C1的电流方向开始改变,谐振电容C1中储存的能量开始反灌至输入电源。当通过谐振电容C1的电流方向开始改变时,所述辅助开关器件VT2关断,通过所述反激变压器原边的电流则由主开关器件VT1的体二极管提供电流通道,主开关器件VT1的电压被箝位在0V,此时控制主开关器件VT1导通,则主开关器件VT1为零电压开通,实现了软开关过程。
本实用新型提出的反激变换器的软开关电路,降低了主开关器件的电压应力,同时实现主开关器件零电压开通的软开关动作,降低了主开关器件的开关损耗,有效地提高了系统效率。本实用新型电路实现简单,主开关器件和辅助开关器件的驱动控制方便,特别适用于小功率电源、小功率逆变器等场合。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明:
图1是本实用新型的反激变换器的软开关电路原理图;
图2是主开关器件VT1关断瞬间的电流流向示意图;
图3是准谐振电流开始反向时的电流流向示意图;
图4是主开关器件VT1开通前瞬间的电流流向示意图。
具体实施方式
结合附图对本实用新型进行详细说明。
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