[实用新型]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201420380317.8 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN204029841U | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 杨建国;谈健;王远红 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括衬底(11)以及依次层叠于所述衬底(11)上的N型半导体层(12)、发光层(13)和P型半导体层(14)，所述发光二极管芯片整体呈柱体状；所述发光二极管芯片在侧壁上设有一个平面(22)，所述平面(22)和所述发光二极管芯片的顶面(21)的公共边为平边(23)，所述顶面(21)在所述平边(23)处设有与所述平面(22)连通的凹槽(31)；所述凹槽(31)的内表面平整。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹槽(31)的对称轴与所述平面(22)的对称轴重合。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述顶面(21)上，所述凹槽(31)沿所述平边(23)平行方向上的长度为0.5毫米～15毫米。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述顶面(21)上，所述凹槽(31)沿所述平边(23)垂直方向上的长度为0.5毫米～5毫米。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，在所述平面(22)上，所述凹槽(31)沿所述平边(23)垂直方向上的长度为1200纳米～6000纳米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述顶面(21)为光滑表面。
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