[实用新型]具有保护层的干刻蚀外盖结构有效
| 申请号: | 201420375228.4 | 申请日: | 2014-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN203941940U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
| 发明(设计)人: | 林士青;黄绣智;陈宜杰;罗世欣 | 申请(专利权)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 保护层 刻蚀 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种干刻蚀外盖结构,特别是涉及一种具有保护层的干刻蚀外盖结构。
背景技术
近年来由于LED的应用与日俱增,LED的半导体工艺也有越来越受重视的趋势。其中在半导体刻蚀工艺中,由于干刻蚀工艺可以省略多个湿刻蚀工艺必须进行的步骤(例如烘干),其使用量增加的幅度最为明显。
然而,干刻蚀工艺中,却也经常遇到因为工艺使用的刻蚀药剂,与干刻蚀使用的外盖(盖体)产生化学反应,而抢夺资源(刻蚀药剂),降低了干刻蚀工艺的刻蚀效率的情形。现有习知的干刻蚀技术,对于这种效率降低的不便,又应经常予以忽略而不加处理。
另一方面,现有习知的干刻蚀技术对于外盖(盖体)的改进,又大多只专注于凹槽的分布及形状改良,或增加外盖的接触来改善其散热功能等方面着眼,对于外盖形成保护层以提升干刻蚀效率方面,却仍甚少着墨。
因此,若能对干刻蚀工艺中使用的外盖结构加以创新,采用重量轻、价钱便宜、容易制造,且能够避免与干刻蚀工艺中使用的刻蚀药剂产生化学反应,而不致降低刻蚀效率的设计,则必定可以大幅增加干刻蚀工艺的整体产出,对于半导体产业与制造业者来说,都能提供甚大的节省成本与增加产能的贡献。
有鉴于上述现有的干刻蚀工艺存在的问题,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新型结构的具有保护层的干刻蚀外盖结构,能够解决现有的干刻蚀工艺存在的问题,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有的干刻蚀工艺存在的不足而提供一种具有保护层的干刻蚀外盖结构。
本实用新型的目的是采用以下的技术方案来实现的。本实用新型一种具有保护层的干刻蚀外盖结构,其包括:外盖本体,其具有多个刻蚀孔,该外盖本体遮盖在多个干刻蚀目标物上方,并自每一个该刻蚀孔露出一个该干刻蚀目标物;以及保护层,形成于该外盖本体的表面及每一个该刻蚀孔的孔壁。
本实用新型的目的还可以采用以下的技术措施来进一步实现。
较佳的,前述的干刻蚀外盖结构,其中所述的该外盖本体为金属、合金或金属化合物。
较佳的,前述的干刻蚀外盖结构,其中所述的该外盖本体进一步具有凸出部,自该外盖本体对着承载该干刻蚀目标物的拖盘的方向延伸。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案,本实用新型具有保护层的干刻蚀外盖结构至少具有下列优点及有益效果:
一、容易制造且成本低廉;
二、增加的重量和体积极为微小,不影响干刻蚀工艺;
三、有效隔离外盖本体与干刻蚀工艺使用的刻蚀药剂;
四、提高干刻蚀工艺的刻蚀效率。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述,为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1为本实用新型实施例的一种具有保护层的干刻蚀外盖结构的立体示意图。
图2为本实用新型实施例的一种具有保护层的干刻蚀外盖结构的剖面示意图。
图3为本实用新型实施例的另一种具有保护层的干刻蚀外盖结构的剖面示意图。
【主要元件符号说明】
100:具有保护层的干刻蚀外盖结构
200:具有保护层的干刻蚀外盖结构
10:外盖本体
10’:外盖本体
11:刻蚀孔
12:凸出部
20:保护层
30:干刻蚀目标物
40:托盘
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的一种具有保护层的干刻蚀外盖结构其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
如图1所示,本实施例为一种具有保护层的干刻蚀外盖结构100,其是使用作为干刻蚀工艺中干刻蚀目标物30的盖体,具有保护层的干刻蚀外盖结构100包括有:外盖本体10;以及保护层20。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚昌科技股份有限公司,未经聚昌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420375228.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





