[实用新型]一种4寸静电卡盘

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造设备领域，特别是涉及到一种4寸静电卡盘。

背景技术

静电卡盘是集成电路（IC）制造工艺过程中的核心组件，它利用静电吸附原理将待加工晶片吸附在其表面并且通过背吹气体来控制晶片表面的温度，广泛应用于等离子刻蚀（ETCH）、物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等工艺，多数是在反应腔室内完成，而且前后工序衔接紧密，在反应腔室内对晶片进行加工处理时，通常需要借助于机械卡盘和真空卡盘来固定晶片，然而利用此类卡盘来固定晶片常因压力或碰撞而发生碎片现象，同时容易产生颗粒，从而导致整个工艺的中断并造成污染，而且还占用晶片的边缘面积，进而影响生产效率和产品良率。

发明内容

本实用新型的目的是克服以上所述的问题。

本实用新型的目的是这样实现的：一种4寸静电卡盘，包括圆柱形负电极基体、正电极卡盘基座、绝缘套、负极导电柱、水道密封盖板，其特征在于：所述的正电极卡盘基座内部设置有圆柱形负电极基体，正电极卡盘基座右侧设置有水道密封盖板；圆柱形负电极基体通过绝缘套、绝缘螺丝、负极导电柱与正电极卡盘基座连接。

所述的圆柱形负电极基体为圆柱体，圆柱形负电极基体右侧设置有装载晶片的平面A；圆柱形负电极基体左侧平面上由内到外依次设置有中心位置的通孔、涂绝缘胶的沟槽、在圆周上均布的4个螺纹孔、涂绝缘胶的沟槽，4个螺纹中3个为用于装配时定位和固定用的孔，1个为导电孔。

所述的正电极卡盘基座为阶梯轴，阶梯轴小端平面上设置有装载晶片的平面B，装载晶片的平面B上由内到外依次设置有圆周均布的通氦气直孔、环形槽；装载晶片的平面B右侧平面中心设置有盲孔，盲孔的圆柱面上设置有通氦气斜孔，通氦气斜孔与装载晶片的平面B相通；装载晶片的平面B右侧平面上设置有环形槽，环形槽内设置有加热冷却水道。

所述的绝缘套为阶梯轴，阶梯轴小端圆柱面为与正电极卡盘基座紧配的外层；绝缘套（3）内设置有通孔。

所述的负极导电柱为阶梯轴，阶梯轴小端为与圆柱形负电极基体连接的螺纹部分，阶梯轴大端为接电部分。

所述的水道密封盖板为阶梯轴，阶梯轴大端平面上设置有数个圆周均布的固定用孔；水道密封盖板内部设置有阶梯孔；水道密封盖板左侧由内到外依次设置有密封面、环形槽、密封面，环形槽内设置有进水孔、出水孔，进水孔与出水孔的中心在同一直径的圆上且对称布置，进水孔与出水孔之间的夹角为β，夹角β设置为直角。

所述的圆柱形负电极基体的材质采用6061铝合金。

所述的正电极卡盘基座和水道密封盖板的材质均采用铝合金。

所述的绝缘套的材质采用杜邦材料。

所述的负极导电柱的材质采用无氧铜，加工后表面镀银镀金。

本实用新型结构合理，通过接通直流电压的正电极基体和负电极基体表面，形成库仑引力，将晶片吸附在工作面上，增大了晶片的有效加工面积，减少了晶片表面腐蚀物颗粒的沉积，通过冷却加热水道实现卡盘的温度控制，通过气体背吹来均衡晶片温度，极大地提高了生产效率；充分利用了晶片，减少了碎片现象，不产生浪费，保证了产品的加工质量，节约了生产成本，推广使用具有良好的经济和社会效益。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1的A-A剖视图。

图3为本实用新型中圆柱形负电极基体的结构示意图。

图4为图3的B-B剖视图。

图5为本实用新型中正电极卡盘基座的结构示意图。

图6为图5的C-C剖视图。

图7为本实用新型中绝缘套的结构示意图。

图8为图7的D-D剖视图。

图9为本实用新型中负极导电柱的结构示意图。

图10为本实用新型中水道密封盖板的结构示意图。

图11为图10的F-F剖视图。

图中：1.圆柱形负电极基体；2.正电极卡盘基座；3.绝缘套；4.负极导电柱；5.水道密封盖板；1-1.装载晶片的平面A；1-2.涂绝缘胶的沟槽；1-3.用于装配时定位和固定用的孔；1-4.导电孔；2-1.装载晶片的平面B；2-2.加热冷却水道；2-3.通氦气斜孔；2-4.通氦气直孔；2-5.固定用沉头孔；3-1.与正电极卡盘基座紧配的外层；3-2通孔；4-1.与圆柱形负电极基体连接的螺纹部分；4-2.接电部分；5-1.密封面；5-2.固定用孔；5-3.进水孔；5-4.出水孔。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：