[实用新型]电流源电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，更具体地涉及一种电流源电路。

背景技术

电流源为集成电路中的基本单元，广泛应用于各种模拟及集成数字电路中。电流源的结构种类繁多，但在大多数的集成电路中都是采用的电压除以电阻再镜像的方式产生集成电路所需要的电流。通过这种方式产生的电流源的电阻由于受到温度，电压，加工工艺及制程等的影响，尤其温度对产生的电流的影响很大，会产生20％左右的变化，另外场效应管在不同工艺边界的参数也存在着变化，使得同一电路输出电流值会有30％以上的差异。因此在大批量生产时，产品的成品率会受到很大的影响，而且这种电流源产生的电流的精度也达不到产业要求。

因此，有必要提供一种改进的电流源电路来克服上述缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种电流源电路，该电流源电路可有效减小温度、电压、加工工艺及制程等对输出电流的影响，提高了输出电流的稳定性与准确度。

为实现上述目的，本实用新型提供一种电流源电路，其包括正温系数电压产生子电路、电流镜像子电路及电流产生子电路，所述电流产生子电路包括第一放大器、第一场效应管、第二场效应管与第三场效应管，所述正温系数电压产生子电路产生一个与温度变化趋势相同的第一电压，且将所述第一电压输入至所述第一放大器的正向输入端，所述第一放大器的反向输入端与所述第三场效应管的源极及第二场效应管的漏极连接，所述第一放大器的输出端与所述第三场效应管的栅极连接，所述第一场效应管的源极及第二场效应管的源极均接地，所述第一场效应管的栅极、漏极及第二场效应管的栅极共同连接，且所述电流产生子电路产生的第一电流流经所述第一场效应管，其产生的第二电流流经所述第二场效应管，所述第一场效应管与第二场效应管的电子迁移率是与温度变化趋势相反的工艺参数；所述电流镜像子电路包括第二放大器、第四场效应管、第五场效应管及第六场效应管，所述第二放大器的正相输入端与所述第三场效应管的漏极、第四场效应管的漏极连接，所述第二放大器的反向输入端与所述第一场效应管的漏极、第五场效应管的漏极连接，所述第二放大器的输出端与所述第四场效应管的栅极、第五场效应管的栅极、第六场效应管的栅极连接，所述第四场效应管的源极、第五场效应管的源极、第六场效应管的源极均与外部电源连接；所述第四场效应管镜像所述第二电流至所述第六场效应管，所述第五场效应管镜像所述第一电流至所述第六场效应管，所述第六场效应管的漏极输出产生的电流。

较佳地，所述第一场效应管、第二场效应管及第三场效应管为N型场效应管。

较佳地，所述第四场效应管、第五场效应管及第六场效应管具有相同的宽长比。

较佳地，所述第一场效应管的宽长比为所述第二场效应管宽长比的两倍。

较佳地，所述电流镜像子电路还包括第七场效应管、第八场效应管及第九场效应管，所述第二放大器的正向输入端与所述第七场效应管的漏极连接，所述第二放大器的反向输入端与所述第八场效应管的漏极连接，所述第七场效应管的栅极、第八场效应管的栅极、第九场效应管的栅极共同连接，所述第七场效应管的源极与第四场效应管的漏极连接，所述第八场效应管的源极与第五场效应管的漏极连接，所述第九场效应管的源极与第六场效应管的漏极连接，所述第九场效应管的漏极输出产生的电流。

较佳地，所述第七场效应管、第八场效应管及第九场效应管具有相同的宽长比。

与现有技术相比，本实用新型的电流源电路由于所述正温系数电压产生子电路产生一个与温度变化趋势相同的第一电压，且将所述第一电压输入至所述电流产生子电路的第一放大器的正向输入端，而所述电流产生子电路的第一场效应管与第二场效应管的电子迁移率为与温度变化趋势相反的工艺参数，且通过所述第一场效应管与第二场效应管的漏极输出产生的电流；使得所述第一场效应管与第二场效应管的电子迁移率与所述第一电压可相互削弱或抵消对方因温度变化对输出的电流的影响，提高了输出电流的稳定性与准确度。

通过以下的描述并结合附图，本实用新型将变得更加清晰，这些附图用于解释本实用新型。

附图说明

图1为本实用新型电流源电路的结构框图。

图2为本实用新型电流源电路另一实施例的结构框图。

具体实施方式

现在参考附图描述本实用新型的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。如上所述，本实用新型提供了一种电流源电路，该电流源电路可有效减小温度电压，加工工艺及制程等对输出电流的影响，提高了输出电流的稳定性与准确度。