[实用新型]一种大功率高音扬声器有效

专利信息
申请号: 201420369315.9 申请日: 2014-07-07
公开(公告)号: CN203968364U 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 张世弘 申请(专利权)人: 宁波音沛乐电子有限公司
主分类号: H04R9/06 分类号: H04R9/06;H04R9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315315 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 大功率 高音 扬声器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种音箱设备的附件,具体涉及一种高音扬声器结构。

背景技术

现有的普通结构的高音扬声器普遍存在磁路装置的磁场不均匀,磁场强度低,导致扬声器的音质不够理想,声音传播距离也较短,且磁路装置的结构不合理还会导致整个扬声器的散热性差,影响振动膜及线圈的使用寿命,线圈及振动膜的老化也进一步使扬声器的音质变差。

发明内容

本实用新型的目的是:针对现有技术存在的不足,提供一种结构紧凑,磁回路磁场强度高,声音传播距离远的大功率高音扬声器。

为实现本实用新型之目的,采用以下技术方案予以实现:一种大功率高音扬声器,包括有依次连接的T铁、磁体、华司、振动板和后盖,所述的T铁由一个圆形的底板和一体连接在底板一面中心的一个圆柱形的导磁柱构成;所述导磁柱中心自上而下开设有平滑过渡连接的上锥孔、圆柱孔和下锥孔;所述上锥孔上宽下窄,锥角为68度;所述下锥孔上窄下宽,锥角为37度;所述上锥孔、圆柱孔和下锥孔的高度为为7∶1∶3;所述圆柱孔的直径为导磁柱外径的1/2;所述底板异于导磁柱的一面中心成型有一个第一凹圈和一个第二凹圈,第二凹圈的直径大于第一凹圈的直径,且第二凹圈与底板表面之间,第二凹圈与第一凹圈之间,以及第一凹圈与下锥孔的壁面之间均是通过45度的倒角过渡;所述的磁体由一个导磁材料的定位环及沿着定位环外周均布的十二个圆柱形的强磁铁构成,所述定位环的外周成型有十二个与强磁铁的侧壁面相配合的圆弧形的磁铁定位部,所述定位环的内周下部成型有一个与T铁的导磁柱外壁配合的内导磁圈;所述的华司整体呈圆环形状,华司的中部自上而下成型有端部平滑过渡连接的圆柱形孔和锥形孔,圆柱形孔和锥形孔的高度比为3∶4,所述锥形孔的锥角为90度;华司的下表面为平面,下表面的中心成型有下连接圈;华司的上表面自内而外依次为振动板连接圈、后盖连接圈和外圈;所述振动板连接圈低于后盖连接圈,外圈低于后盖连接圈、高于振动板连接圈;所述T铁的导磁柱上部套设有一个短路环,短路环的上端部向内延伸形成一个内凸圈,内凸圈抵在导磁柱的上端面外周;所述华司的下连接圈与定位环之间夹设有一个气腔垫,气腔垫的内周与短路环的外壁相抵;所述的振动板由一个环形的支架以及连接在支架中部的振动膜构成,所述支架通过螺钉连接在华司的振动板连接圈上,且支架与振动板连接圈之间还垫有两个垫片;所述的后盖通过螺钉连接在华司的后盖连接圈上,且后盖的外周处于华司的外圈的上方。

与现有技术相比较,本实用新型的有益效果是:所述的磁体由多个强磁铁配合一个定位环共同构成,产生的磁场远高于普通的单块环形磁铁,使扬声器在体积不变的情况下能够具有更高的发声功率。所述T铁导磁柱中间的开孔一方面利于扬声器的散热,一方面使扬声器的声音均匀明亮,传播角度宽且传播距离远。经过频响测试,本实用新型与普通扬声器相比,中高音整体db值上升25%以上。经过纯音测试,听觉感官高音清晰细腻,质感明亮,穿透力强。

附图说明

图1是扬声器的分解结构示意图。

图2是扬声器的装配结构示意图。

图3是T铁的结构示意图。

图4是T铁的剖视结构示意图。

图5是磁体的结构示意图。

图6是华司的结构示意图。

图7是华司的剖视结构示意图。

图8是短路环的结构示意图。

图9是振动板的结构示意图。

1、T铁;11、底板;12、导磁柱;13、上锥孔;14、圆柱孔;15、下锥孔;16、第一凹圈;17、第二凹圈;2、磁体;21、强磁铁;22、定位环;221、磁铁定位部;222、内导磁圈;3、气腔垫;4、华司;41、外圈;42、后盖连接圈;43、振动板连接圈;44、圆柱形孔;45、锥形孔;46、下连接圈;5、短路环;51、内凸圈;7、垫片;8、振动板;81、支架;82、振动膜;9、后盖。

具体实施方式

下面根据附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。

根据图1至图9所示,本实施例所述的一种大功率高音扬声器,包括有依次连接的T铁1、磁体2、华司3、振动板8和后盖9,所述的T铁由一个圆形的底板11和一体连接在底板一面中心的一个圆柱形的导磁柱12构成;所述导磁柱中心自上而下开设有平滑过渡连接的上锥孔13、圆柱孔14和下锥孔15;所述上锥孔上宽下窄,锥角为68度;所述下锥孔上窄下宽,锥角为37度;所述上锥孔、圆柱孔和下锥孔的高度为为7∶1∶3;所述圆柱孔的直径为导磁柱外径的1/2;所述底板异于导磁柱的一面中心成型有一个第一凹圈16和一个第二凹圈17,第二凹圈的直径大于第一凹圈的直径,且第二凹圈与底板表面之间,第二凹圈与第一凹圈之间,以及第一凹圈与下锥孔的壁面之间均是通过45度的倒角过渡;所述的磁体2由一个导磁材料的定位环22及沿着定位环外周均布的十二个圆柱形的强磁铁21构成,所述定位环的外周成型有十二个与强磁铁的侧壁面相配合的圆弧形的磁铁定位部221,所述定位环的内周下部成型有一个与T铁的导磁柱外壁配合的内导磁圈222;所述的华司4整体呈圆环形状,华司的中部自上而下成型有端部平滑过渡连接的圆柱形孔44和锥形孔45,圆柱形孔和锥形孔的高度比为3∶4,所述锥形孔的锥角为90度;华司的下表面为平面,下表面的中心成型有下连接圈46;华司的上表面自内而外依次为振动板连接圈43、后盖连接圈42和外圈41;所述振动板连接圈低于后盖连接圈,外圈低于后盖连接圈、高于振动板连接圈;所述T铁的导磁柱上部套设有一个短路环5,短路环的上端部向内延伸形成一个内凸圈51,内凸圈抵在导磁柱的上端面外周;所述华司的下连接圈与定位环之间夹设有一个气腔垫3,气腔垫的内周与短路环的外壁相抵;所述的振动板8由一个环形的支架81以及连接在支架中部的振动膜82构成,所述支架通过螺钉连接在华司的振动板连接圈上,且支架与振动板连接圈之间还垫有两个垫片7;所述的后盖9通过螺钉连接在华司的后盖连接圈上,且后盖的外周处于华司的外圈的上方。

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