[实用新型]一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器

权利要求书

1.一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，包括盒体，所述盒体内设置有半导体陶瓷芯片、左电极脚、右电极脚，其特征在于：还包括脱扣电极片、陶瓷遮断体；所述脱扣电极片的两面分别为平面和凸突面，所述脱扣电极片的平面与所述半导体陶瓷芯片的一面相贴合，所述半导体陶瓷芯片的另一面与左电极脚相贴合，所述脱扣电极片的凸突面装入并固定在所述盒体的孔位中；所述陶瓷遮断体设置的旋转孔位套在所述盒体设置的转轴上，所述陶瓷遮断体设置有焊接孔，所述焊接孔对准所述盒体的孔位，所述焊接孔边缘及周边覆盖有可焊金属层与脱扣电极片的凸突面焊接牢固，形成脱扣焊接点；所述右电极脚插入所述盒体内设置的插槽中，所述右电极脚通过导线另一端与所述可焊金属层焊接牢固；所述陶瓷遮断体与弹力装置接触或连接，所述弹力装置被设置为能在弹簧的弹力作用下推动或拉动所述陶瓷遮断体。

2.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：陶瓷遮断体围绕盒体转轴旋转，带动焊接孔产生位移，也带动右电极脚连接的导线产生位移，左右电极通过半导体陶瓷芯片的连接被分断，陶瓷遮断体遮断产生的电流弧。

3.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述弹力装置设置有推杆、弹簧，所述弹簧被压缩后套在推杆底部的弹簧杆外，弹簧与推杆一并装入盒体设置的滑槽内，所述推杆上设置有上拨块和下拨块，所述上拨块和下拨块之间设置所述陶瓷遮断体；所述推杆的下拨块下方和上拨块上方各设置有告警开关，所述推杆受弹力向上滑动时其上端设有的指示杆端伸出至盒盖平面或高出盒盖平面。

4.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述弹力装置设置有弹簧，所述弹簧被拉伸后一端固定在盒体上，另一端连接所述陶瓷遮断体；在所述陶瓷遮断体的下方或上方设置有告警开关。

5.根据权利要求4所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体上设有用于挂弹簧的挂钩孔。

6.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述弹力装置设置有推杆、弹簧，所述弹簧被压缩后套置在推杆中下部的弹簧杆外，推杆上设置有拨块，所述拨块上设置有所述陶瓷遮断体；在所述盒体的外部底座设置有告警开关，所述推杆底部被设置为压住所述告警开关。

7.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体上设有线槽，用于供连接所述右电极脚的导线嵌入。

8.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体为薄片状，其厚度为0.3mm--6mm，由氧化铝，碳化硅，莫来石，高岭土制成，或用PCB板替代。

9.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体的焊接孔周边，孔内垂直面及部分线槽内均覆盖可焊金属层，供焊接使用。

10.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体的旋转孔，根据需求设置成同心孔或不同心孔。

11.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体的焊接孔，根据需求设置成圆形、椭圆形、矩形、多边形、或不规则形状。

12.根据权利要求1所述的具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，其特征在于：所述陶瓷遮断体周边设有凹边，凸边，或不规则形状，表面设有多孔，槽状，以满足空间转动需求和周围部件的安设需求。