[实用新型]一种背接触太阳能电池有效
| 申请号: | 201420360756.2 | 申请日: | 2014-07-01 |
| 公开(公告)号: | CN203941922U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
| 发明(设计)人: | 刘运宇;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;张海英 |
| 地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 接触 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及光电设备技术领域,尤其涉及一种背接触太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的太阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。
常规太阳能电池是正反面分别制备正负电极栅线和焊接电极。由于焊接电极较宽,因而对入射光有较大的遮挡,影响电池的效率。全背接触电池IBC则需要寿命非常高的N型硅片,以保证载流子在复合前扩散到结区。
对比文件(CN200910080050.4)中同性电极在同一面的面板上依次排列,基于同性排斥的原理,其电荷在收集时容易散失;同时位于太阳能电池光照正面的焊接电极会遮挡部分光照,影响整体太阳能电池的工作。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种背接触太阳能电池,能够提高电荷的收集效率,并改善焊接电极阻挡阳光的问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种背接触太阳能电池,包括:基片,所述基片包括基片背面和基片正面,所述基片正面和基片背面上均分布有掺杂场。
所述基片背面设置有第一焊接电极、第二焊接电极以及分别与第一焊接电极和第二焊接电极相连接的背面第一电极栅线和第二电极栅线。
所述基片正面设置有与第一焊接电极相连接的正面第一电极栅线。
所述背面第一电极栅线和第二电极栅线交错分布,所述正面第一电极栅线和背面第一电极栅线交错分布。
所述背面第一电极栅线和第二电极栅线的电性相反,所述正面第一电极栅线与背面第一电极栅线电性相同。
其中,所述基片上还设置有对应正面第一电极栅线的通孔,所述正面第一电极栅线沿通孔至基片背面,并与基片背面上的背面第一焊接电极相连接。
其中,所述基片背面上的第一焊接电极设置在第二焊接电极的相对侧。
其中,所述对应正面第一电极栅线的通孔分散在正面第一电极栅线的一端。
其中,所述对应正面第一电极栅线的通孔分散在基片的边缘。
其中,对应正面第一电极栅线的所述通孔均匀分布在基片上。
其中,所述基片正面分布有整面掺杂场,基片背面分布有局部掺杂场。
其中,所述背面第一电极栅线和第二电极栅线在基片背面上的分布呈平行交错。
其中,所述背面第一电极栅线和第二电极栅线在基片背面上的分布呈放射状交错。
其中,所述正面第一电极栅线位于第二电极栅线的正上方。
本实用新型的有益效果是:通过在电池双面设置掺杂场以及电极栅线的交错分布,最大限度的减小电荷横向扩散,有助于电荷的收集,使得制备的太阳能电池不受硅片导电类型的限制,都能实现良好的电流收集;通过在基体上或者边缘开设通孔,使得和正面第一电极栅线和背面第一电极栅线相连接的第一焊接电极全部位于基体的背面,减少了现有技术中因第一焊接电极设置在基片正面而对入射光形成遮挡,有利于组件的串联,提高了电池的效率。
附图说明
图1是本实用新型具体实施方式1提供的背接触太阳能电池的正面示意图;
图2是本实用新型具体实施方式1提供的背接触太阳能电池的背面示意图;
图3是本实用新型具体实施方式2提供的背接触太阳能电池的正面示意图;
图4是本实用新型具体实施方式2提供的背接触太阳能电池的背面示意图。
图中:
1、基片;2、基片正面;3、基片背面;4、背面第一电极栅线;5、第二电极栅线;6、通孔;7、第二焊接电极;8、第一焊接电极;9、正面第一电极栅线。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
实施例1
如图1-2所示,一种背接触太阳能电池,包括:基片1,所述基片1包括基片背面3和基本正面2,所述基片1不受硅片导电类型的限制,可以是P型硅片,也可以是N型硅片。所述基片正面2和基片背面3上均分布有掺杂场。所述基片正面2分布有整面掺杂场,基片背面3分布有局部掺杂场。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420360756.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:背膜上胶机的刮胶片
- 下一篇:一种低遮光率太阳能电池片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





