[实用新型]照相机模块有效
| 申请号： | 201420356998.4 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN204243041U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 栾竟恩 | 申请（专利权）人： | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 照相机 模块 | ||
1.一种照相机模块，其特征在于，包括：
传感器组件，所述传感器组件包括：
半导体裸片；
传感器电路，设置于所述半导体裸片的顶表面上；以及
透明盖体，在所述半导体裸片的顶表面上面耦合到所述半导体裸片；
至少一个半导体衬底，每个所述半导体衬底在水平方向上布置于所述传感器组件周围；以及
模制化合物，填充在每个所述半导体衬底与所述传感器组件之间。
2.根据权利要求1所述的照相机模块，其特征在于，
所述半导体裸片包括电耦合到所述传感器电路的至少一个硅通孔，每个所述硅通孔分别经由焊线从每个所述半导体衬底的底表面电耦合到对应的半导体衬底中的电路；并且
所述模制化合物还至少覆盖所述半导体裸片的底表面以及每个所述焊线。
3.根据权利要求2所述的照相机模块，其特征在于，还包括至少一个表面装配器件，每个所述表面装配器件从每个所述半导体衬底的顶表面电耦合到对应的半导体衬底中的电路。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，所述透明盖体与所述半导体裸片在水平方向上对准。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，每个所述半导体衬底的顶表面分别与所述透明盖体的顶表面齐平。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，每个所述半导体衬底的底表面分别与所述半导体裸片的底表面齐平。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，所述模制化合物的顶表面与所述透明盖体的顶表面齐平。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，还包括透镜组件，所述透镜组件耦合到所述至少一个半导体衬底的顶表面。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，所述半导体衬底的数目为两个，两个所述半导体衬底在水平方向上分别设置于所述传感器组件的相对侧上。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，所述半导体衬底的数目为一个，其横截面形状为“回”形，所述传感器组件位于所述“回”形半导体衬底内。
11.根据权利要求10所述的照相机模块，其特征在于，所述传感器组件位于所述“回”形半导体衬底内的中心处。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的照相机模块，其特征在于，所述透明盖体为具有IR涂层或者UV涂层的玻璃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
