[实用新型]PIN二极管有效

专利信息
申请号: 201420356641.6 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN203967094U 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 孔明 申请(专利权)人: 常州佳盟电子科技有限公司
主分类号: H01L29/868 分类号: H01L29/868
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213118 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: pin 二极管
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种半导体器件,尤其是一种PIN二极管。 

背景技术

PIN二极管是在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层组成的,正因为有本征(Intrinsic)层的存在,PIN二极管应用很广泛,从低频到高频的应用都有。 

现有的PIN二极管的引出线末端一部分会封在纸质编带中,当两根引出线之间夹角为180°时,两根引出线上各有一条编带,这叫横向编带;当两根引出线平行时,两根引出线共用一条编带,这叫立式编带。PIN二极管选择横向编带或立式编带,是根据客户需求来的,由横向编带改成立式编带需要专门的设备,编带纸也是不一样的,横向编带的宽带要小于立式编带。另外,虽然由横向编带改成立式编带,横向编带是脱下来再利用的,但由于编带的材质是纸,所以它的使用寿命不会很长,重复使用率不是很高,也不环保。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:基于上述问题,提供一种PIN二极管。 

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种PIN二极管,包括二极管本体及位于二极管本体外的环氧树脂管,所述二极管本体由P型半导体层、N型半导体层及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层组成,P型半导 体层和N型半导体层对外各焊接有一根引出线,所述引出线上设有编带,所述编带包括一体注塑成型的上编带和下编带,所述上编带上设置有凸起,所述下编带上开设有与该凸起配合的槽,所述上编带的下底面和下编带的上端面上均开设有半圆柱型槽,所以半圆柱型槽的半径等于引出线的半径,且半圆柱型槽内设有螺纹,所述下编带的一侧、两个半圆柱型槽中间的下部位置处具有走位孔。 

进一步地,当二极管本体的两根引出线之间的夹角为180°时,两根引出线上分别具有一根上述的编带;当二极管本体的两根引出线平行时,两根引出线末端位于同一根上述的编带内。 

进一步地,所述凸起为长方体结构或圆锥形结构。 

本实用新型的有益效果是:本实用新型采用一体注塑成型的上编带和下编带插接成编带来固定引出线的末端,使用寿命长,环保耐用,无论二极管本体是横向放置或纵向放置,都可以使用;编带绝缘性好,确保二极管本体的电气特性不受影响。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。 

图1是本实用新型实施例1的结构示意图。 

图2是本实用新型实施例2的结构示意图。 

图中:1.二极管本体,2.环氧树脂管,3.P型半导体层,4.N型半导体层,5.本征半导体层,6.引出线,7.上编带,8.下编带,9.凸起,10.槽,11.半圆柱型槽,12.走位孔。 

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。 

实施例1 

如图1所示,一种PIN二极管,包括二极管本体1及位于二极管本体1外的环氧树脂管2,二极管本体1由P型半导体层3、N型半导体层4及位于两者之间的薄层低掺杂的本征半导体层5组成,P型半导体层3和N型半导体层4对外各焊接有一根引出线6,引出线6上设有编带,编带包括一体注塑成型的上编带7和下编带8,上编带7上设置有长方体结构的凸起9,下编带8上开设有与该凸起9配合的槽10,上编带7的下底面和下编带8的上端面上均开设有半圆柱型槽11,半圆柱型槽11的半径等于引出线6的半径,且半圆柱型槽11内设有螺纹,下编带8的一侧、两个半圆柱型槽11中间的下部位置处具有走位孔12。其中,二极管本体1的两根引出线6之间的夹角为180°,两根引出线6上分别具有一根上述的编带:每根引出线6都位于由上编带7下底面和下编带8上端面的半圆柱型槽11配合而成的圆柱型槽内,且通过上编带7上长方形结构的凸起9与下编带8上槽10的紧密配合而使得上编带7和下编带8连接固定。 

实施例2 

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