[实用新型]MEMS 压力传感器和半导体结构

权利要求书

1.一种MEMS压力传感器，所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上，其特征在于，所述MEMS压力传感器至少包含：

下电极，位于所述衬底结构表面；

氧化物层，覆盖于所述衬底结构和所述下电极表面；

上电极，位于所述氧化物层的上表面；所述上电极为多层薄膜结构，包含第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层，所述第一薄膜层位于所述氧化物层上，所述第二薄膜层位于所述第一薄膜层上，所述第三薄膜层位于所述第二薄膜层上；其中，所述第一薄膜层为TiN膜，第二薄膜层为W膜，第三薄膜层为Mo膜；

空腔，位于所述上电极和氧化物层之间，且位于所述下电极的上方。

2.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述第一薄膜层的厚度为第二薄膜层的厚度为第三薄膜层的厚度为

3.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述下电极包含第一下电极、第二下电极和第三下电极；所述第一下电极、第二下电极和第三下电极均由下电极底层薄膜层、下电极顶层薄膜层和钨塞组成，所述下电极底层薄膜层位于所述衬底结构表面，下电极顶层薄膜层位于所述氧化物层内，钨塞位于所述下电极底层薄膜层和下电极顶层薄膜层之间，并连接所述下电极底层薄膜层和下电极顶层薄膜层；所述第一下电极、第二下电极和第三下电极呈一字型分布于所述氧化物层中，且各下电极之间被所述氧化物层隔开；所述第一下电极和第三下电极中的下电极顶层薄膜层的上表面均与所述上电极的下表面相连接。

4.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述下电极底层薄膜层和下电极顶层薄膜层为Ti膜、TiN膜或Al膜。

5.根据权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于：所述衬底结构包括晶圆和设于所述晶圆上的IC控制电路，所述IC控制电路至少包括CMOS器件，所述下电极位于所述CMOS器件的上方。

6.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包含：

衬底结构；

下电极，位于所述衬底结构表面；

氧化物层，覆盖于所述衬底结构和所述下电极表面；

上电极，位于所述氧化物层的上表面；

牺牲层，位于所述上电极和氧化物层之间，且位于所述下电极的上方；所述牺牲层的材料为Ge。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述上电极为多层薄膜结构，包含第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄膜层，所述第一薄膜层位于所述氧化物层上，所述第二薄膜层位于所述第一薄膜层上，所述第三薄膜层位于所述第二薄膜层上；其中，所述第一薄膜层为TiN膜，第二薄膜层为W膜，第三薄膜层为Mo膜。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于：所述第一薄膜层的厚度为第二薄膜层的厚度为第三薄膜层的厚度为

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述下电极包含第一下电极、第二下电极和第三下电极；所述第一下电极、第二下电极和第三下电极均由下电极底层薄膜层、下电极顶层薄膜层和钨塞组成，所述下电极底层薄膜层位于所述衬底结构表面，下电极顶层薄膜层位于所述氧化物层内，钨塞位于所述下电极底层薄膜层和下电极顶层薄膜层之间，并连接所述下电极底层薄膜层和下电极顶层薄膜层；所述第一下电极、第二下电极和第三下电极呈一字型分布于所述氧化物层中，且各下电极之间被所述氧化物层隔开；所述第一下电极和第三下电极中的下电极顶层薄膜层的上表面均与所述上电极的下表面相连接。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：下电极底层薄膜层和下电极顶层薄膜层为Ti膜、TiN膜或Al膜。

11.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于：所述衬底结构包括晶圆和设于所述晶圆上的IC控制电路，所述IC控制电路至少包括CMOS器件，所述下电极位于所述CMOS器件的上方。