[实用新型]一种LTE高效射频功率放大器

权利要求书

1.一种LTE高效射频功率放大器，包括输入网络、稳定网络、晶体管、偏置网络以及输出网络，其中射频信号经过所述输入网络传送至所述晶体管，被所述晶体管放大后再经过所述输出网络输出，所述稳定网络使所述晶体管工作在绝对稳定状态，所述偏置网络分别给所述晶体管的栅极及漏极提供直流偏置，其特征在于：

所述输入网络包括采用共轭匹配方式连接的第三匹配电容C3和第三匹配电感L3；

所述稳定网络包括串联连接的第一电阻R1、第五电感L5和第五电容C5；

所述偏置网络包括第一隔直电容C1、第二隔直电容C2、第一扼流电感L1、第二扼流电感L2、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10和第十一电容C11；

所述输出网络包括转向电容Cd、谐振电容Cx、谐振电感Lx、第四匹配电容C4和第四匹配电感L4。

2.根据权利要求1所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，该LTE高效射频功率放大器的输入端依次通过第三匹配电容C3和第二隔直电容C2连接于晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述第三匹配电感L3的一端连接于该LTE高效射频功率放大器的输入端与第三匹配电容C3之间，另一端接地。

4.根据权利要求2所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述第一电阻R1的一端连接于第三匹配电容C3与第二隔直电容C2之间，另一端依次通过第五电感L5和第五电容C5接地。

5.根据权利要求2所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述第二扼流电感L2的一端连接于第二隔直电容C2与晶体管的栅极之间，另一端与直流电源VGS连接，所述第六电容C6、第七电容C7和第八电容C8相互并联一端连接于VGS电源端，另一端均接地。

6.根据权利要求1所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述晶体管的漏极依次通过第一隔直电容C1、谐振电容Cx、谐振电感Lx和第四匹配电感L4连接于该LTE高效射频功率放大器的输出端。

7.根据权利要求6所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述第一扼流电感L1的一端连接于第一隔直电容C1与晶体管的漏极之间，另一端与直流电源VDS连接，所述第九电容C9、第十电容C10和第十一电容C11相互并联一端连接于VDS电源端，另一端均接地。

8.根据权利要求6所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述转向电容Cd的一端连接于第一隔直电容C1与谐振电容Cx之间，另一端接地。

9.根据权利要求6所述的LTE高效射频功率放大器，其特征在于，所述第四匹配电容C4的一端连接于谐振电感Lx与第四匹配电感L4之间，另一端接地。