[实用新型]一种多模干涉结构有效
申请号: | 201420342360.5 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN203941309U | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 周治平;邓清中 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02F1/225 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100871 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 干涉 结构 | ||
1.一种多模干涉结构,包括输入波导、多模区域和输出波导,其特征在于:
所述多模区域为非对称结构。
2.根据权利要求1所述的多模干涉结构,其特征在于:
所述多模区域由具有对称结构的多模区域去除其中部分结构得到。
3.根据权利要求2所述的多模干涉结构,其特征在于:
所去除的部分结构的形状为矩形。
4.根据权利要求1所述的多模干涉结构,其特征在于:
所述输入波导和/或输出波导为非良导体材料波导,或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导。
5.根据权利要求4所述的多模干涉结构,其特征在于,所述表面等离子体波导为:
非良导体材料表面覆盖一层金属的表面等离子体波导。
6.根据权利要求4或5所述的多模干涉结构,其特征在于:
所述非良导体材料为电介质、半导体或有机物。
7.根据权利要求6所述的多模干涉结构,其特征在于:
所述电介质为二氧化硅、二氧化钛或氧化镓;
和/或,所述半导体为硅、锗、氮化硅或三五族光电子化合物材料。
8.根据权利要求7所述的多模干涉结构,其特征在于:
所述三五族光电子化合物材料为磷化铟或氮化镓。
9.根据权利要求5所述的多模干涉结构,其特征在于,所述表面等离子体波导为:
硅或二氧化硅表面覆盖一层银或金的表面等离子体波导。
10.根据权利要求3所述的多模干涉结构,其特征在于:
所述多模干涉结构为光功率分束器,所述光功率分束器通过改变所去除的矩形的尺寸来实现任意分束比。
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