[实用新型]一种多模干涉结构有效

专利信息
申请号: 201420342360.5 申请日: 2014-06-24
公开(公告)号: CN203941309U 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 周治平;邓清中 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02F1/225
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李相雨
地址: 100871 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 干涉 结构
【权利要求书】:

1.一种多模干涉结构,包括输入波导、多模区域和输出波导,其特征在于:

所述多模区域为非对称结构。

2.根据权利要求1所述的多模干涉结构,其特征在于:

所述多模区域由具有对称结构的多模区域去除其中部分结构得到。

3.根据权利要求2所述的多模干涉结构,其特征在于:

所去除的部分结构的形状为矩形。

4.根据权利要求1所述的多模干涉结构,其特征在于:

所述输入波导和/或输出波导为非良导体材料波导,或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导。

5.根据权利要求4所述的多模干涉结构,其特征在于,所述表面等离子体波导为:

非良导体材料表面覆盖一层金属的表面等离子体波导。

6.根据权利要求4或5所述的多模干涉结构,其特征在于:

所述非良导体材料为电介质、半导体或有机物。

7.根据权利要求6所述的多模干涉结构,其特征在于:

所述电介质为二氧化硅、二氧化钛或氧化镓;

和/或,所述半导体为硅、锗、氮化硅或三五族光电子化合物材料。

8.根据权利要求7所述的多模干涉结构,其特征在于:

所述三五族光电子化合物材料为磷化铟或氮化镓。

9.根据权利要求5所述的多模干涉结构,其特征在于,所述表面等离子体波导为:

硅或二氧化硅表面覆盖一层银或金的表面等离子体波导。

10.根据权利要求3所述的多模干涉结构,其特征在于:

所述多模干涉结构为光功率分束器,所述光功率分束器通过改变所去除的矩形的尺寸来实现任意分束比。

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