[实用新型]一种晶圆冷却腔有效
| 申请号： | 201420340679.4 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN203910769U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吴新江;曹涯路;桂鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 冷却 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆冷却腔，其特征在于，所述晶圆冷却腔体结构至少包括：腔体，所述腔体包括上腔体及下腔体，所述上腔体设置有多个用于晶圆冷却的冷却盘，所述下腔体设置有多个放置盘状工作件的支架，所述上腔体与下腔体之间通过阻挡板隔断。
2.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：所述晶圆冷却腔的材质为不锈钢金属。
3.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：所述腔体为长方体结构。
4.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：所述腔体设置有用于所述晶圆及所述盘状工作件出入的开口。
5.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：所述冷却盘的数量设定为不少于3个，所述支架的数量设定为不少于3个。
6.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：相邻的两个冷却盘之间的距离设定为6.5mm～7.5mm。
7.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：相邻的两个支架之间的距离设定为7mm～8mm。
8.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：所述支架为框体结构。
9.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：最下层的所述冷却盘和最上层的所述支架之间的距离设定为7mm～9mm。
10.根据权利要求1所述的晶圆冷却腔，其特征在于：所述盘状工作件为静电盘遮盖片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
