[实用新型]一种上拉双扩散金属氧化物半导体有效
| 申请号： | 201420337049.1 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN203967093U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吉扬永;张磊;傅达平;连延杰 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 上拉双 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
1.一种上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，包括：
具有第一掺杂类型的衬底；
形成在衬底上的外延层；
形成在外延层内具有第二掺杂类型的第一阱区；
形成在外延层内具有第一掺杂类型的第二阱区，所述第二阱区毗邻第一阱区；
形成在第一阱区内具有第一掺杂类型的基区，所述基区和第一阱区形成体-阱结；
形成在基区内的具有第一掺杂类型的体接触区；
形成在基区内的具有第二掺杂类型的源接触区，所述源接触区毗邻体接触区；
形成在第一阱区内的具有第二掺杂类型的漏接触区；
形成在外延层上的场氧；
形成在外延层上的栅氧；
厚栅氧，所述厚栅氧部分形成在栅氧上、部分形成在外延层上、部分形成在场氧上；
形成在场氧、栅氧和厚栅氧上的多晶硅栅，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括在体-阱结上的有源多晶硅、在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅、以及在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅。
2.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，其中所述有源多晶硅、第一延伸多晶硅和第二延伸多晶硅呈现为阶梯结构。
3.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，其中所述场氧具有浅沟道结构。
4.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，还包括：
与体接触区和源接触区接触的源极电极；
与漏接触区接触的漏极电极；以及
与多晶硅栅的普通部分接触的栅极电极。
5.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，还包括：形成在外延层内具有第二掺杂类型的轻掺杂区，所述第一阱区被所述轻掺杂阱区环绕。
6.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，还包括：形成在衬底内的具有第二掺杂类型的掩埋层。
7.如权利要求1所述的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，其中所述场氧不具有浅沟道结构。
8.如权利要求1～7之一的上拉双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，其中所述第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型。
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