[实用新型]一种多晶硅氢化炉用新型电源装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电源装置，特别是一种多晶硅氢化炉用新型电源装置。 

背景技术

多晶硅氢化炉是将多晶硅还原炉的出口气体四氯化硅合成为多晶硅还原炉进口气体三氯氢硅的化学反应炉。多晶硅氢化炉用电源就是为了使氢化炉内温度达到规定的反应温度的加热电源。现有多晶硅氢化炉电源采用的是交流叠层调压方案，因而为了保证三相供电平衡，多晶硅氢化炉内需安装三个加热电阻，故现有多晶硅氢化炉电源存在两个缺点：(1)每个多晶硅氢化炉三个加热电阻，需引出6跟铜排长距离连接到电气室，造成成本增加；(2)每个多晶硅氢化炉需对应配备一个高压开关柜和一个三相变压器，不仅成本高，而且占地面积大。 

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅氢化炉用新型电源装置，满足了采用一个电源装置为多个多晶硅氢化炉供电的需求，不仅能保证三相供电平衡，还可以降低生产成本及降低设备占用场地面积。 

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种多晶硅氢化炉用新型电源装置，包括为氢化炉供电的交直流转化电路和用于改变氢化炉内加热电阻R的电压的直流斩波调压器； 

交直流转化电路包括4个副边互差15度的整流变压器UT、4个二极管整流桥和直流支撑电容器C1，整流变压器UT的每个副边与一个二极管整流桥连接，每个副边连接的二极管整流桥互不相同，4个二极管整流桥并联后为直流支撑电容器C1供电，直流支撑电容器C1的出线端与氢化炉的接线端连接以便向氢化炉供电； 

直流斩波调压器包括电容器C2、IGBT场效应管G、阻尼二极管D1、二极管D2和电感器L；交直流转化电路的正极分别与电容器C2的正极、IGBT场效应管G的集电极和阻尼二极管D1的阴极连接，IGBT场效应管G的发射极和阻尼二极管D1的阳极连接后在分别与电感器L的输入端和二极管D2的阴极连接，电感器L的引出端与氢化炉内加热电阻R的一端连接，加热电阻R的另一端分别与二极管D2的阳极、电容器C2的负极和交直流转化电路的负极连接。 

上述多晶硅氢化炉用新型电源装置，直流斩波调压器的控制周期为3.3ms。 

本实用新型的有益效果是：采用本实用新型来对多晶硅氢化炉进行供电，每个多晶硅氢化炉仅需一个加热电阻，引出两个铜排，而且对多个多晶硅氢化炉进行供电时，只需要一个本实用新型就可以完成对多个多晶硅氢化炉进行供电，不仅节约生产成本，还降低了设备占用空间。 

附图说明

图1为本实用新型多晶硅氢化炉用新型电源装置的交直流转化电路工作电路原理图； 

图2为本实用新型多晶硅氢化炉用新型电源装置的直流斩波调压器的工 作电路原理图； 

图3为本实用新型多晶硅氢化炉用新型电源装置的工作原理图。 

具体实施方式

如图3所示，本实用新型多晶硅氢化炉用新型电源装置，包括为氢化炉供电的交直流转化电路和用于改变氢化炉内加热电阻R的电压的直流斩波调压器，其中，交直流转化电路将三相高压交流电转化为稳定的直流电，该直流电为多晶硅氢化炉供电，而直流斩波调压器用来改变多晶硅氢化炉内加热电阻两端的电压，从而调整多晶硅氢化炉内的反应温度。 

如图1所示，交直流转化电路包括4个副边互差15度的整流变压器UT、4个二极管整流桥和直流支撑电容器C1，整流变压器UT的每个副边与一个二极管整流桥连接，每个副边连接的二极管整流桥互不相同，4个二极管整流桥并联后为直流支撑电容器C1供电，直流支撑电容器C1的出线端与氢化炉的接线端连接以便向氢化炉供电。 

如图2所示，直流斩波调压器包括电容器C2、IGBT场效应管G、阻尼二极管D1、二极管D2和电感器L；交直流转化电路的正极分别与电容器C2的正极、IGBT场效应管G的集电极和阻尼二极管D1的阴极连接，IGBT场效应管G的发射极和阻尼二极管D1的阳极连接后在分别与电感器L的输入端和二极管D2的阴极连接，电感器L的引出端与氢化炉内加热电阻R的一端连接，加热电阻R的另一端分别与二极管D2的阳极、电容器C2的负极和交直流转化电路的负极连接。本实用新型多晶硅氢化炉用新型电源装置中的直流斩波调压器的控制周期为3.3ms。 

如图3所示，直流斩波调压器的调压器第一接线端与交直流转化电路的 直流母线第一接线端串联，而直流斩波调压器的调压器第四接线端与交直流转化电路的直流母线第二接线端串联。