[实用新型]红外线大功率LED有效

专利信息
申请号: 201420328935.8 申请日: 2014-06-19
公开(公告)号: CN204029849U 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 刘勇 申请(专利权)人: 深圳市迈科光电有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54
代理公司: 深圳市弘拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44320 代理人: 彭年才
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 红外线 大功率 led
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及LED技术领域,尤其涉及一种红外线大功率LED。

背景技术

在繁多的LED产品中,红外线大功率LED因其稳定、节能被广泛应用于安防监控夜间照明。红外线大功率LED的可靠性和衰减性直接影响了安防效果,造成了其寿命短,安防效果不能持续稳定。在使用时,受产品散热影响,照射距离、强度变低;因为产品晶片结温过高时,红外线晶片会衰减增大,可靠性变低;封装材料受高温影响,老化加快,因此,解决红外线大功率LED的可靠性、衰减性的方法就是解决其散热。

图1所示的现有红外线大功率LED采用仿流明朗柏型封装,由保护硅胶1封装于框架3上的晶片4通过金线2与外接脚相连,晶片4与框架3之间还设有底胶5,框架3又设置于支架底板6上。这种结构的红外线大功率LED的散热回路主要分成两路:1、晶片4发热通过底胶5和支架底板6传递到散热基板散热;2、晶片4发热通过保护硅胶1和框架3散热进行空气散热。第1路散热回路的缺陷是:热阻高,支架底板6的厚度为2.4mm,根据铜的散热特性,大厚度并不会增加热量的传导速度,反而增加了热阻;晶片4工作时,热量通过底胶5导入支架底板6,通过支架底板6导入焊锡,再散入散热基板,当晶片4结温120℃时,散热基板才80℃,说明其热量未能及时导入散热基板,造成晶片4结温慢慢变高,引起产品衰减过大。而第2路散热回路的缺点是:晶片4工作时,产生的热量通过第一种方式导出一部分,另外一部分通过2.9mm保护硅胶1和框架3散热,保护硅胶1会造成热量不能及时散发至空气中;通过框架3时,长时间高温会造成PPA材料老化、黄化,导致其反光效果变差,晶片4发光效率变低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种红外线大功率LED,以改善产品的光衰减性,提升产品可靠性。

为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:一种红外线大功率LED,包括支架底板、通过底胶组装于支架底板上的晶片、封装于晶片上表面的保护硅胶以及设置于支架底板上的框架,所述晶片以SMD封装工艺贴装于支架底板上,所述支架底板为厚度为0.25±0.02mm的超薄铜板;保护硅胶位于框架限定的区域范围内并覆盖住晶片,所述保护硅胶的厚度范围为0.5mm~1mm;所述框架由高耐温材料制成,其厚度为0.5mm~1.5mm。

进一步地,所述框架为聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯制作而成。

进一步地,所述框架为高分子环氧树脂通过蚀刻技术成型于铜基材上制作而成。

进一步地,所述保护硅胶的厚度为0.75mm。

进一步地,所述框架的厚度为1mm。

采用上述技术方案后,本实用新型至少具有如下有益效果:本实用新型采用了表面贴装器件的封装方式组装晶片,实现了自动化、标准化作业,可使产品衰减性、可靠性变优良;配合高耐温、超薄型框架的设计,晶片产生的热量能通过底部、正上方快速传导至散热基板和空气中,可大大降低了晶片本身的温度,可很好地解决因为高温导致的光衰和出光效率问题;此外,由于厚度、尺寸变小,还可减少一半的金线用量,框架生产效率更高,后期封装加工成本低,使红外线大功率LED整体成本变得更低,效率更高。

附图说明

图1为背景技术所述现有一种红外线大功率LED的结构示意图;

图2为本实用新型所述一种红外线大功率LED的结构示意图。

图中:1—保护硅胶、2—金线、3—框架、4—晶片、5—底胶、6—支架底板。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合,下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图2所示,本实用新型提供一种红外线大功率LED,包括支架底板6、通过底胶5组装于支架底板6上的晶片4、封装于晶片4上表面的保护硅胶1以及设置于支架底板6上的框架3。

所述晶片4以SMD封装工艺贴装于支架底板6上,所述支架底板为厚度为0.25±0.02mm的超薄铜板;保护硅胶1位于框架3限定的区域范围内并覆盖住晶片4,所述保护硅胶1的厚度范围为0.5mm~1mm,优选厚度为0.75mm;所述框架3由高耐温材料制成,其厚度为0.5mm~1.5mm,优选厚度为1mm。

在本实用新型的一个实施例中,所述框架3为聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯制作而成。而在本实用新型的另一个实施例中,所述框架为高分子环氧树脂通过蚀刻技术成型于铜基材上制作而成。

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