[实用新型]传感器组件有效

专利信息
申请号: 201420323400.1 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN203929747U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: S·布朗;W·亨齐克;M·格拉夫;U·巴奇 申请(专利权)人: 盛思锐股份公司
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 沈英莹
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 传感器 组件
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种传感器组件。

背景技术

现今,传感器组件通常包括传感器芯片,在所述传感器芯片的基底上设置或在所述基底中集成有测量灵敏的元件形式的本身的传感器功能性。在此,基底可能是例如由硅制成的半导体基底,同时电路功能性、如例如电子分析电路也集成到所述半导体基底中。对于这样的传感器芯片的示例由本委托人的欧洲专利EP1236038B1得知。

未受保护的传感器芯片可能在进一步的加工过程中受到损害。传感器芯片的电连接结构绝大部分也不适合于直接与电路载体、例如传统的电路板连接。

实用新型内容

本实用新型涉及一种传感器组件。传感器组件包括传感器芯片,所述传感器芯片在传感器芯片的上侧具有导电结构和测量元件。在传感器芯片的下侧设有一个或多个连接部位,所述连接部位通过一个或多个穿过传感器芯片的电的贯穿触点连接部与在该传感器芯片的上侧上的传导结构连接。在传感器芯片的上侧上安装有基底形式的遮盖装置,所述遮盖装置具有通向传感器芯片的测量元件的通道。传感器组件构造为长方体形的。

传感器组件包括:传感器芯片,所述传感器芯片在传感器芯片的上侧具有导电结构和测量元件;一个或多个在传感器芯片的下侧的连接部位;一个或多个穿过传感器芯片的电的贯穿触点连接部,用于将在上侧上的导电结构与所述一个或多个在下侧上的连接部位电连接;安装到传感器芯片的上侧上的基底形式的遮盖装置;在遮盖装置中通向传感器芯片的测量元件的通道。所述传感器组件具有长方体形形状。

这样的传感器组件可以按照简单的方法和方式设置在电路载体上,所述电路载体例如具有设金属化的区域作为对于传感器芯片的连接部位的对应物。在此,电路载体侧的区域通过导电器件、例如焊膏或焊接球与传感器组件的连接部位连接。由于贯穿触点连接部,用于传感器组件的连接部位于是置于传感器芯片的背侧上,从而不需要接合线和用于这样的接合线的浇铸部(Verguss),并且传感器组件尽管如此还是以其具有测量元件的上侧朝向周围环境而不是如在使用倒装式芯片技术时朝向电路载体。

连接部位在传感器组件的下侧上的几何结构有利地用于获得具有小尺寸的紧凑结构型式并且同时允许使连接部位相互良好地电气解耦。此外,通向传感器组件的上侧的优选中央的通道实现由传感器组件的周围环境向传感器芯片的测量元件的尽可能最短的连接。也实现极其紧凑的、不敏感的传感器组件,所述传感器组件在其进一步加工中通过遮盖装置来保护免遭损害。在有利的进一步扩展方案中,可以规定光学上或者机械上定位辅助,以便在布置在电路载体上时支持传感器组件的正确定位。

优选地,传感器组件具有大于其宽度的长度,从而传感器组件具有矩形的基面。在此,有利地,在遮盖装置中的通道可以设置在由所述长度和宽度形成的矩形的对角线的交点中、亦即居中地设置。优选地,所述传感器组件比1.5mm更短并且比1mm更窄。优选地,所述传感器组件也比0.7mm更矮。

优选地,在传感器芯片的下侧设有至少四个连接部位,其中,传感器芯片的下侧的每个四分之一部分具有至少一个连接部位。这能实现尽可能最好的面利用。优选地,也设有至少四个贯穿触点连接部,其中,传感器芯片的下侧的每个四分之一部分具有至少一个贯穿触点连接部,并且在一种有利的进一步扩展方案中,贯穿触点连接部靠近所属的连接部位结束、优选以小于0.2mm的距离靠近所属的连接部位终止,从而在贯穿触点连接部的端部和连接部位之间的连接尽可能短地确定尺寸。优选地,设有由贯穿触点连接部到连接部位的一对一配置,亦即,每个贯穿触点连接部与恰好一个唯一的连接部位连接。就此而言,在一种有利的进一步扩展方案中,贯穿触点连接部的数量对应于连接部位的数量。

优选地,所述通道构成为在遮盖装置中的开口,并且开口圆柱形地在测量元件之上延伸穿过遮盖装置。

优选地,所述开口的横截面大于测量元件的横截面。

优选地,所述传感器组件具有大于其宽度的长度,并且通道设置在由长度和宽度所形成的矩形的对角线的交点中。

优选地,所述传感器组件具有小于1.5mm的长度和小于1mm的宽度。

优选地,所述传感器组件具有小于0.7mm的高度。

优选地,设有在传感器芯片和遮盖装置之间的粘接层。

优选地,设有在传感器芯片和遮盖装置之间的保护层。

优选地,设有在传感器芯片和遮盖装置之间的保护层,所述保护层设置在传感器芯片和粘接层之间。

优选地,所述测量元件不被保护层覆盖,并且所述保护层围住测量元件并且与该测量元件间隔。

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