[实用新型]一种阵列基板、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板，和包括该阵列基板的显示面板、显示装置。 

背景技术

静电在薄膜晶体管阵列基板的制造、封装、测试和使用过程中无处不在，积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放，瞬间功率高达几百千瓦，放电能量可达毫焦耳，对薄膜晶体管的摧毁强度极大。 

所以薄膜晶体管设计中静电保护模块的设计直接关系到芯片的功能稳定性，极为重要。随着工艺的发展，器件特征尺寸逐渐变小，栅氧也成比例缩小。二氧化硅的介电强度近似为8×106V/cm，因此厚度为10nm的栅氧击穿电压约为8V左右，尽管该击穿电压比3.3V的电源电压要高一倍多，但是各种因素造成的静电，一般其峰值电压远超过8V；而且随着多晶硅金属化(Polyside)、扩散区金属化(Silicide)、多晶硅与扩散区均金属化等新工艺的使用，器件的寄生电阻减小防止静电放电保护能力大大减弱。为适应超大规模集成电路的集成密度和工作速度的不断提高，需要提高防止静电放电保护能力。 

如图1所示，阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1包括用于进行显示的显示区域和位于显示区域周边的驱动区域，其中，显示区域和驱动区域包括薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管在栅极2和有源层5之间设有绝缘层3，在有源层5上还设有刻蚀阻挡层4，在刻蚀阻挡层4上设有源、漏极6，该源、漏极6通过过孔7与有源层5电性连接。 

阵列基板的驱动区域设有静电防护结构将静电的电荷释放，但当累积电荷较大时，静电放电流较大，依然驱动区域的薄膜晶 体管的在过孔7处产生静电释放，造成绝缘层3被击穿，栅极和源、漏极短路。 

因此，增加驱动区域的薄膜晶体管的绝缘层3的厚度成为防止静电放电的一个重要措施，但在阵列基板的显示区域的薄膜晶体管的中增加绝缘层的厚度会造成迁移率下降和阈值电压值漂移等不良的特性。 

现有技术中在采用构图工艺形成如图1所示的阵列基板的绝缘层时，所用的掩膜板如图2所示，掩膜板包括与显示区域对应的显示区域掩膜板9和与四周的驱动区域分别对应的四个驱动区域掩膜板8。在曝光时将上述的掩膜板拼接曝光、显影、刻蚀即可获得显示区域和驱动区域的图形。 

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术中阵列基板的驱动区域的薄膜晶体管的栅极和源、漏极之间的绝缘层容易被击穿的问题，提供一种防止栅极和源、漏极之间的绝缘层容易被击穿且能是显示区域的薄膜晶体管能保持较好的特性的阵列基板，和包括该阵列基板的显示面板、显示装置。 

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括用于进行显示的显示区域和位于显示区域周边的驱动区域，其中，所述的显示区域和驱动区域包括薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管在栅极和有源层之间设有绝缘层，驱动区域的薄膜晶体管的绝缘层厚度大于显示区域的薄膜晶体管的绝缘层厚度。 

优选的是，所述驱动区域的薄膜晶体管的绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层；所述显示区域的薄膜晶体管的绝缘层包括第二绝缘层。 

优选的是，所述驱动区域的薄膜晶体管的第二绝缘层相对第一绝缘层靠近有源层。 

优选的是，所述的第二绝缘层的厚度为

本实用新型的另一个目的还在于提供一种包括上述阵列基板的显示面板和显示装置。 

本实用新型的本实用新型的阵列基板、显示面板、显示装置包括显示区域和驱动区域；位于该显示区域和驱动区域的薄膜晶体管在栅极和有源层之间设有绝缘层，且驱动区域的薄膜晶体管的绝缘层厚度大于显示区域的薄膜晶体管的绝缘层厚度，在驱动区域的栅极和源、漏极产生静电释放时能够防止绝缘层被击穿，栅极和源、漏极短路；另外，因减薄存储电容介质层(绝缘层)的厚度，可以保持或增大存储电容值(栅极和源、漏极金属层间形成存储电容)；同时，由于显示区域的薄膜晶体管的绝缘层厚度较薄，不会造成显示区域的薄膜晶体管的迁移率下降和阈值电压值漂移等不良的特性。 

附图说明

图1为现有技术中制备的阵列基板结构示意图。 

图2为现有技术中制备阵列基板所用的掩膜板的示意图。 

图3为本实用新型实施例1中阵列基板的驱动区域的薄膜晶体管的结构示意图。 

图4为本实用新型实施例1中阵列基板的显示区域的薄膜晶体管的结构示意图。 

图5为本实用新型实施例1中形成绝缘层所用的掩膜板的示意图。 

图6为本实用新型实施例1中构成形成第一绝缘层图形后的阵列基板俯视示意图。