[实用新型]导电体结构

说明书

技术领域

本实用新型属一种导电体的技术领域，尤指一种导电体结构，可改善习用的结构当使用次数增加时会磨损碳，导致阻抗值升高而接触不良的问题，且可解决习用结构容易使得薄膜开关发生短路或重压的问题。

背景技术

一般的键盘包含多个按键，各该按键包含一基板、一薄膜开关、一键帽、一支撑装置以及一弹性导电体。该支撑装置装设在该基板上，该基板上形成协助该支撑装置固定的结构。该键帽装设在该支撑装置上。该支撑装置限制该键帽作相对于该薄膜开关的垂直移动，于未按压位置与按压位置之间移动。

该弹性导电体设置于该薄膜开关上，并且抵接至该键帽。如图11所示，该弹性导电体10包含一弹性圆顶体11以及一作动柱12。该弹性圆顶体11具有一开口13，且具有相当高度，该开口13的周边设有数排气孔14。该弹性圆顶体11的顶部抵接至该键帽(图未示)的下表面。该作动柱12形成在该弹性圆顶体11内，且朝向该开口13突出。外力施加在该键帽上让该键帽朝向该薄膜开关20移动。该弹性圆顶体11随着该键帽的移动而产生变形，该弹性导电体10变形时，气体可从各该排气孔14排出，致使该作动柱12致动该薄膜开关20触发，变形的该弹性导电体10回复时，气体从各该排气孔14吸入。

然而习用的该作动柱12包覆一层碳15，当使用次数增加时会磨损碳15，导致阻抗值升高而接触不良，且各该排气孔14设置于该弹性导电体10的底部，当键盘进水时，容易导致水从各该排气孔14而进入该薄膜开关20，使得该薄膜开关20发生短路或重压的情形。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种导电体结构，其结构简单，能有效改善磨损问题，且避免阻抗值升高而接触不良的问题，且能解决薄膜开关容易发生短路或重压的缺陷问题。

为实现上述目的，本实用新型公开了一种导电体结构，其特征在于包括：

一弹性体，该弹性体具有一开口，该弹性体内有一活动空间，一作动柱设置于该活动空间内的中央位置且朝向该开口突出，该弹性体顶部设有一平台；该弹性体设有至少一通孔贯通至该活动空间内，该作动柱底部涂布有一银层。

其中，该作动柱为硅胶或塑胶。

其中，该弹性体的该作动柱设有该通孔贯通至该作动柱底部且该通孔连通该活动空间。

其中，该弹性体侧壁设有该通孔贯通至该活动空间。

其中，该作动柱两侧各设有一该通孔贯通至该活动空间。

其中，该平台中央设有一连通该作动柱上的该通孔的凹槽，该平台顶端边缘设有至少一连接该凹槽的辅助排气沟槽。

其中，该通孔内设有一瓣膜，该瓣膜上设有一穿孔。

其中，该通孔内设有一瓣膜，该瓣膜上设有一穿孔。

其中，该瓣膜设置于该通孔内顶部、底部或中间，该穿孔位于该瓣膜中央或边缘的位置，该瓣膜为硅胶或塑胶。

其中，该穿孔位于该瓣膜中央或边缘的位置，该瓣膜为硅胶或塑胶。

其中，该平台上设有至少一沟槽。

还公开了一种导电体结构，其特征在于包括：

一弹性体，该弹性体具有一开口，该弹性体内有一活动空间，一作动柱设置于该活动空间内的中央位置且朝向该开口突出，该弹性体顶部设有一平台；该弹性体设有至少一通孔贯通至该活动空间内，该作动柱底部涂布有铟锡氧化物层。

通过上述结构，本实用新型藉由将该作动柱底部涂布银或铟锡氧化物(Indium tin oxide,ITO)层可改善习用的该作动柱包覆碳会使得使用次数增加时磨损碳，导致阻抗值升高而接触不良的问题；且本实用新型将该弹性体内之该活动空间的气体由该通孔吸入及排出，由于硅胶或塑胶材质本身具有弹性，该通孔于气体没有通过时是呈现闭合状态，且该通孔也可加装该瓣膜，并于该瓣膜上设有该穿孔，该瓣膜的材质为硅胶或塑胶，藉由硅胶或塑胶材质本身的弹性，该穿孔于气体没有通过时是呈现闭合状态，可解决习用结构的各该排气孔设置于该弹性导电体的底部，当键盘进水时，容易导致水从各该排气孔而进入该薄膜开关，使得该薄膜开关发生短路或重压的问题。

附图说明

图1A：本实用新型第一实施例(作动柱设有通孔)的立体外观示意图。

图1B：本实用新型第一实施例(作动柱设有通孔)的剖面示意图。

图2A：本实用新型第一实施例(作动柱设有通孔)设置在薄膜开关上的剖面示意图。

图2B：本实用新型第一实施例(作动柱设有通孔)弹性体被按压变形的剖面示意图。

图3A：本实用新型第一实施例(弹性体侧壁设有通孔)的立体外观示意图。