[实用新型]电容式触控面板有效

专利信息
申请号: 201420319957.8 申请日: 2014-06-16
公开(公告)号: CN203894736U 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 郑德隆;薛秉中;刘智予;林柏丞 申请(专利权)人: 达鸿先进科技股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 汤在彦
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容 式触控 面板
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种触控面板结构,尤其涉及一种改善抗静电能力的电容式触控面板。

背景技术

近年来,随着触摸屏的使用、及智能手机的普及,消费者对触摸屏的需求快速增长。目前除了智能手机外,平板电脑、相机乃至台式电脑屏幕,也使用了触摸屏。

参阅图1,其为一种现有的触控面板结构的俯视图。在图1所示的触控面板结构中,感测单元阵列110的各感测单元110X与110Y之间相距一定间距D。由于感测结构制造工艺的限制、并且为了避免彼此电连接在不同方向的感测单元之间产生的电性干扰,设计上会避免感测单元配置过近,因此,间距D的大小有一定限制。然而,间距D的存在使得使用者在使用触摸屏时,往往能够通过屏幕清楚看到面板中的感测单元阵列(如图1所示)110,严重影响使用者的视觉美感。

为降低触控面板感测结构的可视性,以避免使用者通过屏幕看见基板下方的感测单元阵列,提出一种在感测单元之间设置空置感测单元的设计。参阅图2,其为另一现有触控面板结构的俯视示意图。如图2所示,在相邻的感测单元210X、210Y之间,各设置有个别的空置感测单元(dummy pattern)215,以使感测单元210X、210Y之间的间距减少为D’,该间距D’可降低感测单元阵列210的可视性。

当图2的感测单元阵列(或导电层)进一步布设在遮蔽层(例如一遮蔽边框层)时,则容易于遮蔽层与导电层之间产生静电放电现象,导致导电层损坏。具体言之,请参阅图3A,其为进一步结合遮蔽层的触控面板结构的俯视示意图。如图3A所示,在图3A所示的触控面板结构上设有一遮蔽边框层31,以形成一边框310而遮蔽触控面板结构的周围部分,并定义出由边框310所围设的一可视区300。

参阅图3B图与图3C,其分别为图3A中区域32的局部放大立体示意图与放大剖面示意图,用以说明此触控面板结构在其边框处的感测单元与遮蔽边框层的配置。如图3B与图3C所示,当由氧化铟锡组成的感测单元220同时横跨在位于基板30的可视区300与形成边框310的遮蔽边框层31上方时,可视区300与遮蔽边框层31之间的高低差将使得在形成该氧化铟锡感测单元时,影响氧化铟锡的蚀刻速率,使得氧化铟锡感测单元220在基板30与在遮蔽边框层31上具有不同的蚀刻速率;因此,氧化铟锡感测单元220的膜厚在此交界处并不均匀,且易产生留残(如图3C中的区域A所示)。在有氧化铟锡留残的情况下,当触控面板接受到一高电压时,就容易在此交界处产生静电放电现象,导致触控面板元件损坏。

鉴于前述原因,目前需要一种触控面板结构,以增强其抗静电能力。在经申请人的长时间的思考及研究下,提出本实用新型的触控面板结构,其具有改善的抗静电能力。此外,本实用新型提出的触控面板结构因为其结构不复杂,所以能够以低成本的制造方法实现,且设计实现简单。

实用新型内容

鉴于上述现在技术问题,本实用新型所要解决的技术问题是提供一种电容式触控面板结构,以期在不影响其感测结构可视性的情况下,进一步改善触控面板结构的抗静电能力。

本实用新型提出一种具有改善抗静电能力的电容式触控面板,其包含:一基板;一遮蔽层,遮蔽该基板的一部分,其中该遮蔽层布设的区域为一第一区域、及该遮蔽层未布设的区域为一第二区域;以及一导电层,其包括位于该第一区域中的多个第一感测单元与多个第一空置感测单元、以及位于该第二区域中的多个第二感测单元与多个第二空置感测单元;其中,相邻的该第一感测单元与所述第一空置感测单元之间的一第一间隙大于相邻的该第二感测单元与所述第二空置感测单元间的一第二间隙。

基于前述构想,该第一间隙大于或等于该第二间隙的1.5倍。

基于前述构想,该第一间隙大于或等于该第二间隙的2倍。

基于前述构想,该基板为玻璃,该遮蔽层为黑色光阻或油墨材质。

本实用新型的另一构想在于提出一种电容式触控面板,其包含:一基板;一遮蔽层,遮蔽该基板的一部分,其中该遮蔽层布设的区域为一第一区域、及该遮蔽层未布设的区域为一第二区域;以及一导电层,包括位于该第一区域中的多个第一感测单元与多个第一空置感测单元、以及位于该第二区域中的多个第二感测单元与多个第二空置感测单元;其中该第二感测单元与该第二空置感测单元之间为一第一间隙;以及该第一空置感测单元及该第二空置感测单元位于该第一区域与该第二区域的一交界区域外。

根据前述构想,该交界区域与该第一区域及该第二区域的交界处相距一间隔;该间隔大于该第一间隙。

根据前述构想,该间隔大于或等于该第二间隙的1.5倍;较佳为,大于或等于该第二间隙的2倍。

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