[实用新型]变频器IGBT用突波吸收器

说明书

技术领域

本实用新型涉及变频器IGBT，尤其涉及一种变频器IGBT用突波吸收器。

背景技术

变频器所使用的IGBT在高速切换时，电路的寄生电感di/dt会使IGBT的CE端产生浪涌电压，在大功率变频器中，因电流较大，浪涌电压能量较高，一般电容式滤波器不易完全滤除，且会导致电容过热。

实用新型内容

为解决大功率变频器滤波问题，本实用新型提供一种变频器IGBT用突波吸收器，使浪涌电压进入突波吸收器，通过电容吸收再由电阻释放能量。

本实用新型的技术方案如下：

一种变频器IGBT用突波吸收器，包括依次串联的第一电容、第一二极管、第二二极管和第二电容；第一电容的另一端为P端，第二电容的另一端连接N端，P端和N端分别从直流母线连接IGBT，第一二极管和第二二极管的公共端连接IGBT的输出端；第一电阻的一端连接P端，另一端连接第二二极管和第二电容的公共端；第二电阻的一端连接N端，另一端连接第一电容和第一二极管的公共端；第三至第五电容并联在P端和IGBT的输出端之间，第六至第八电容并联在N端和IGBT的输出端之间。

本实用新型的有益技术效果是：

相比一般滤波器，本实用新型的突波吸收器能够有效吸收浪涌电压，并且与IGBT机构相吻合，可以直接锁固。

附图说明

图1是本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做进一步说明。

如图1所示，本实用新型的电路结构为：电容C1、二极管D1、二极管D2、电容C2依次串联；电容C1、电容C2的另一端分别为P端和N端，二极管D1和二极管D2的公共端为U端；电阻R1的一端连接P端，另一端连接二极管D2和电容C2的公共端；电阻R2的一端连接N端，另一端连接电容C1和二极管D1的公共端；电容C3～C5并联在P端和U端之间，电容C6～C8并联在N端和U端之间。

本实用新型的工作原理如下：

P端、N端从直流母线连接于IGBT上、U端连接IGBT的输出，突破吸收器通过PCB制作后直接嵌于IGBT上。当U端产生正相尖锋电压，电流经过二极管D2，使能量存储于电容C2中，之后通过电容C2与电阻R1释放。当U端产生反相尖锋电压，电流经过二极管D1，使能量存储于电容C1中，之后通过电容C1与电阻R2释放。P端和N端之间杂讯可通过电容C3～C8滤除。

构成以上电路的元器件均为市售商品。

本实用新型的突破吸收器由PCB制作，尽量缩短与IGBT的连接距离，防止寄生电感对滤波的效果。因电流较大时，杂讯能量较大，所以考虑散热和耐流PCB的铜箔需4OZ。考虑到主要器件的散热问题，为尽可能降低温度，二极管需背面贴于PCB铜箔上，缓冲电容需与其他器件保存一定距离，水泥电阻因体积较大、温度较高需置于别处通过导线锁与链接器上。本实用新型的突破吸收器体积与IGBT模块相似，能配合IGBT模块，减小变频器整体体积。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本实用新型的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本实用新型的保护范围之内。