[实用新型]一种半导体激光器的温度控制系统

权利要求书

1.一种半导体激光器的温度控制系统，其特征在于：所述温度控制系统包括半导体激光器、温度传感器、半导体制冷器、温度采集电路、A/D转换电路、单片机、液晶显示器、键盘输入模块以及半导体制冷器驱动电路，所述半导体激光器、温度传感器以及半导体制冷器封装在一起，且与温度采集电路、半导体制冷器驱动电路相连；所述液晶显示器、键盘输入模块与单片机相连；所述A/D转换电路的一端与单片机相连、另一端与温度采集电路相连；所述半导体制冷器驱动电路的一端与单片机相连、另一端与半导体制冷器相连；所述温度采集电路由恒流源电路与桥式测量电路组成，其基准电压源Vcc串联电阻Rs连接于运算放大器IC0的反相输入端，一端接地的电阻R经过稳压二极管连接于基准电压源Vcc且其另一端与运算放大器IC0的同相输入端相连，所述运算放大器IC0的反相输入端与PNP三极管Q1的发射极相连，且PNP三极管Q1的基极与运算放大器IC0的输出端相连、集电极与电阻R1、电阻R3相连，所述电阻R1经过热敏电阻R2连接于电压跟随器IC1的同相输入端，所述电阻R3经过电阻R4连接于电压跟随器IC1的反相输入端，该电压跟随器IC1的输出端与反向输入端相连，所述电阻R1、电阻R2之间设置有输出端b，电阻R3、电阻R4之间设置有输出端d，输出端b连接至电压跟随器IC2的同相输入端，所述电压跟随器IC2的反向输入端与输出端相连后经过电阻R9连接至运算放大器IC4的同相输入端，该运算放大器IC4的同相输入端经过电阻R10后接地，所述输出端d连接至电压跟随器IC3的同相输入端，所述电压跟随器IC3的反向输入端与输出端相连后经过电阻R8连接至运算放大器IC4的反相输入端，所述连接至A/D转换电路的运算放大器IC4的输出端经过电阻Rf与反相输入端相连；所述半导体制冷器驱动电路由MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、MOSFET管Q5对称构成，MOSFET管Q2的栅极接单片机输出的PWM 信号OUT1、源极接Vcc、漏极接二极管D11与Vcc相连，MOSFET管Q3的栅极接单片机输出的PWM 信号OUT2、源极与电阻R0相连接地、漏极接二极管D12到电阻R0接地，MOSFET管Q4的栅极接单片机输出的PWM 信号OUT3、源极接Vcc、漏极接二极管D13与Vcc相连，MOSFET管Q5的栅极接单片机输出的PWM 信号OUT4、源极与电阻R0相连接地、漏极接二极管D14到电阻R0接地，MOSFET管Q2、MOSFET管Q3中间经电阻R11、电容C1、电阻R12、电容C2串并联网络接半导体制冷器一端，MOSFET管Q4、MOSFET管Q5中间经电阻R13、电容C3、电阻R14、电容C4串并联网络接半导体制冷器另一端。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的温度控制系统，其特征在于：所述单片机为MSP430F149芯片。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器的温度控制系统，其特征在于：所述的半导体制冷器为TEC1--3103半导体制冷器，该制冷器允许通过的最大电流是3A。