[实用新型]单晶硅样棒熔区线画线装置有效

专利信息
申请号: 201420309234.X 申请日: 2014-06-11
公开(公告)号: CN203904499U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 翁博丰;魏文昌;李元丰;晁小涛;陈思雅 申请(专利权)人: 陕西天宏硅材料有限责任公司
主分类号: C30B13/00 分类号: C30B13/00;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 712038 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 样棒熔区线 画线 装置
【权利要求书】:

1.单晶硅样棒熔区线画线装置,其特征在于,包括:

一底座,所述底座中部设置有半圆形刻槽,该半圆形刻槽用于放置单晶硅样棒,

一位于底座两侧的两个支架,

一设置于半圆形刻槽正上方的记号笔组,

还包括一架设于两个支架之间的连杆,所述连杆贯穿记号笔组,使得记号笔组绕连杆自由转动。

2.根据权利要求1所述的单晶硅样棒熔区线画线装置,其特征在于,所述记号笔组由若干个相同结构的记号笔构成。

3.根据权利要求2所述的单晶硅样棒熔区线画线装置,其特征在于,所述记号笔的笔尖和单晶硅样棒表面相接触。

4.根据权利要求2所述的单晶硅样棒熔区线画线装置,其特征在于,单晶硅样棒的转肩位置和第一根记号笔的笔尖对齐。

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