[实用新型]一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管有效
| 申请号： | 201420295952.6 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN203859118U | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;王晶晶;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 散热 改进型 gaas 赫兹 倍频 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，包括半绝缘GaAs衬底（5）、半绝缘GaAs衬底（5）上的重掺杂GaAs层（6）、重掺杂GaAs层（6）上的低掺杂GaAs层（7）、二氧化硅层（2）、欧姆接触金属层（3）和钝化层（1），其特征在于所述钝化层（1）均为金刚石。
2.根据权利要求1所述的一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，其特征在于所述金刚石的厚度为20nm~500nm。
3.根据权利要求1所述的一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，其特征在于所述金刚石是在半绝缘GaAs衬底（5）和二氧化硅层（2）上采用低温方式生长而成的。
4.根据权利要求1所述的一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，其特征在于所述太赫兹倍频肖特基二极管还包括金属加厚层（4）和肖特基接触金属层（8）。
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