[实用新型]一种基于太赫兹时域光谱技术的检测系统有效
| 申请号: | 201420279466.5 | 申请日: | 2014-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN204008456U | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
| 发明(设计)人: | 宝日玛;孟倩;赵昆;董晨;王伟 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(北京) |
| 主分类号: | G01N21/3586 | 分类号: | G01N21/3586;G01N21/3563 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 汤在彦 |
| 地址: | 102249*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 赫兹 时域 光谱 技术 检测 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及太赫兹时域光谱技术检测领域,尤其涉及一种基于太赫兹时域光谱技术的检测系统,具体的讲一种具有光斑摄像功能的太赫兹时域光谱检测系统。
背景技术
目前,利用太赫兹时域光谱技术进行物品检测的方法已经得到了一定应用,例如应用太赫兹时域光谱技术检测地质结构、液体组成、气体组成等,其基本原理基本都是应用太赫兹时域光谱技术生成太赫兹时域光谱信号,通过对太赫兹时域光谱信号进行处理,生成待测物质的吸收率和折射率等参数,从而得到待测物质的成分及结构等特性。
但是,在检测诸如宝石、晶体等一些不规则样品时,光斑的位置很重要,其对前期的测试样品制作和后期的数据分析都具有重大影响。因此,如何调整光斑,使之垂直入射在待测晶体的中心位置,是一个亟待解决的问题。
如今,现有的调整光斑位置的方法大多数是借助于检测人员的经验,靠检测人员的肉眼观察光斑位置,因此误差较大,检测精度较低。
实用新型内容
为了克服上述现有技术的不足,本实用新型目的在于提供一种基于太赫兹时域光谱技术的检测系统,以解决现有的检测系统调整光斑位置全凭经验,误差较大的问题。
为了达到上述目的,本实用新型实施例提供一种基于太赫兹时域光谱技术的检测系统,包括:太赫兹时域光谱装置、光斑调整与显示装置以及样品检测装置;所述太赫兹时域光谱装置照射待测样品,生成所述待测样品的太赫兹时域光谱信号,所述样品检测装置用于根据所述太赫兹时域光谱信号对所述待测样品进行检测,所述光斑调整与显示装置用于放置所述待测样品,并调整光斑投射在所述待测样品上的位置;其中,所述光斑调整与显示装置包括三维样品台、样品放置架、光斑摄像系统以及图像显示器;所述样品放置架设置在所述三维样品台上,用于放置所述待测样品,通过移动所述三维样品台带动所述待测样品上下、前后、左右移动,以改变光斑在所述待测样品上的位置;所述光斑摄像系统摄取所述光斑的图像后,生成光斑信号传送至所述图像显示器上进行显示。
进一步地,所述样品放置架为样品槽,并可根据所述待测样品的大小进行调节。
进一步地,所述样品槽的材质为CR泡棉。
进一步地,所述样品放置架为夹持台,可根据所述晶体样品的大小、厚度,通过旋转两侧旋转螺母调节夹持缝的大小,进而固定住所述晶体样品。
进一步地,所述夹持台的材质为铸铁合金,用以牢固的固定住所述晶体样品,方便测量。
进一步地,所述光斑摄像系统包括光斑摄像头、图像传感器以及数字信号处理芯片;所述光斑摄像头摄取所述光斑图像后生成光学图像投射到所述图像传感器上,所述图像传感器将所述光学图像转换为电信号并传送至所述数字信号处理芯片,所述数字信号处理芯片对所述电信号进行处理,生成所述光斑信号传送至所述图像显示器上进行显示。
进一步地,所述太赫兹时域光谱装置为透射式太赫兹光路。
进一步地,所述待测样品为珠宝或晶体。
本实用新型实施例的基于太赫兹时域光谱技术的检测系统,可以通过可移动的三维样品台移动待测样品的位置,并通过光斑调整与显示装置调整和显示光斑的位置,方便检测人员进行光斑位置的调整,使得太赫兹光能够垂直入射在待测样品的中心平面,从而减小了检测误差,提高了检测精度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的基于太赫兹时域光谱技术的检测系统的结构示意图;
图2为本实用新型实施例的基于太赫兹时域光谱技术的检测系统中的光斑调整与显示装置的结构示意图;
图3为本实用新型实施例的基于太赫兹时域光谱技术的检测系统中的光斑摄像系统的结构示意图;
图4为利用本实用新型实施例的太赫兹时域光谱技术检测系统检测珠宝结构的方法流程图;
图5为检测珠宝结构的具体实施例中的两种样品的吸收系数图;
图6为检测珠宝结构的具体实施例中的两种样品的折射率图;
图7为利用本实用新型实施例的太赫兹时域光谱技术检测系统检测晶体结构的方法流程图;
图8为具体实施例中的75℃环境下生长的纯NaCl晶体样品、纯KCl晶体样品和NaCl:KCl=1:1的三种样品的太赫兹时域光谱信号图;
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