[实用新型]一种基于DDR接口的固态硬盘装置有效
申请号: | 201420274731.0 | 申请日: | 2014-05-27 |
公开(公告)号: | CN203838697U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 贡维;张磊 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 姜明 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 ddr 接口 固态 硬盘 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种固态硬盘装置,特别涉及一种基于DDR接口的固态硬盘装置。
背景技术
随着Flash技术的发展,越来越多的Flash SSD(闪存硬盘)被当作硬盘应用到计算机存储上,目前主流的Flash SSD接口包括SATA接口(Serial Advanced Technology Attachment——串行高级技术附件,一种基于行业标准的串行硬件驱动器接口)、SAS接口、PCI-E接口(PCI-Express)这几种,一般连接在PCI-E、PCH或ICH(I/O controller hub意思是“输入/输出控制器中心)设备上,用来提高计算机系统的存取速度,但是这种传统接口方式的硬盘由于离CPU的距离远,访存延迟一般较大。
发明内容
为了解决现有技术的问题,本实用新型提供了一种基于DDR接口的固态硬盘装置,其将硬盘可以直接安装在CPU的内存插槽上,可以大幅缩减延迟,进一步提高数据传输效率。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种基于DDR接口的固态硬盘装置,包括闪存控制器,闪存控制器上行线路通过DDR接口连接CPU,下行线路通过闪存总线连接闪存颗粒。
闪存控制器通过DDR接口连接电源电路。
闪存控制器通过DDR接口连接时钟信号电路。
DDR接口为DDR3接口或DDR4接口。
本实用新型的一种基于DDR接口的固态硬盘装置由1个Flash(闪存)控制器和若干个Flash颗粒组成,其中Flash控制器的上行通过DDR总线接口(可以是DDR3或DDR4)与CPU相连,下行通过Flash总线与Flash颗粒相连,其主要作用是将DDR协议转换成Flash协议,与传统Flash SSD连接在PCH或ICH下相比,可以实现CPU对Flash SSD的直接访问,从而可以减少系统访问延迟,提高存储速率。
另外,本实用新型中固态硬盘装置所必需的电源和时钟信号也由标准DDR接口提供,从而可以减少设计的复杂度以及降低了设计成本。
综上,本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是:
系统存储的低延时、增加系统存储容量、较低的设计成本,可用在多个服务器平台上使用。使得固态硬盘可以直接安装在内存插槽上,一方面可以提高系统存储的容量,另一方面CPU可以直接访问,从而可以提高硬盘读写性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的一种基于DDR接口的固态硬盘装置的结构框图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
如图1所示,一种基于DDR接口的固态硬盘装置由1个Flash控制器和四个Flash颗粒组成,其中Flash控制器的上行通过DDR总线(可以是DDR3或DDR4)与CPU相连,下行通过Flash总线与Flash颗粒相连,其主要作用是将DDR协议转换成Flash协议,与传统Flash SSD连接在PCH或ICH下相比,可以实现CPU对Flash SSD的直接访问,从而可以减少系统访问延迟,提高存储速率。
另外,本实施例中固态硬盘装置所必需的电源和时钟信号也由标准DDR接口提供,从而可以减少设计的复杂度以及降低了设计成本。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浪潮电子信息产业股份有限公司,未经浪潮电子信息产业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420274731.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种任意相差谢夫曼移相功分器
- 下一篇:一种瞬态电压抑制半导体器件