[实用新型]一种半导体激光器脉冲调制驱动电路

权利要求书

1.一种半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，包括隔离输入电路、倒相电路、脉宽限制电路、脉冲信号放大电路、脉冲电流控制电路及激光器接口匹配电路；

所述隔离输入电路用于采用隔离开关实现对外隔离，并将隔离后的脉冲信号输出给倒相电路；

所述倒相电路输入端连接隔离输入电路输出端，用于采用三极管倒相电路对所述脉冲信号倒相；

所述脉宽限制电路输入端连接倒相电路输出端，用于通过电位器调节倒相后脉冲信号的占空比；

所述脉冲信号放大电路输入端连接脉宽限制电路输出端，用于对脉宽限制后的脉冲信号进行放大；

所述脉冲电流控制电路输入端连接脉冲信号放大电路输出端，用于通过电位器控制脉冲电流，将处理后的脉冲电流输出给激光器接口匹配电路。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，所述隔离输入电路包括电阻R1、电阻R2及隔离开关U1；其中，所述电阻R1的一端连接输出地，另一端连接隔离开关U1的阴极，电阻R2的一端连接隔离开关U1的电压输出引脚，另一端连接隔离开关U1的电源引脚。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，所述倒相电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5及三极管Q1；其中，所述三极管Q1的集电极连接电阻R3，基极连接电阻R4的一端、电阻R5的一端，发射极连接接地端和电阻R5的另一端。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，所述脉宽限制电路包括电位器RP1、电阻R6、电容C1及触发器U2；其中，所述电位器RP1的一端连接外接电源及触发器U2的电源引脚、清零引脚，另一端连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接触发器U2的电阻引脚、电容C1的一端，电容C1的另一端连接接地端和触发器U2的电容引脚。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，所述脉冲信号放大电路包括运放U3、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10及电容C2；其中，所述运放U3的同相输入端连接电阻R7、电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，运放U3的反向输入端连接电阻R9的一端、电阻R10的一端及电容C2的一端，电阻R9、电容C2的另一端连接运放U3的输出端，电阻R10的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，所述脉冲电流控制电路包括电位器RP2、电容C3、电容C4、三极管Q2、三极管Q3、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14及场效应晶体管Q4；其中，所述电容C3与电阻R11并接后，一端连接电位器RP2，另一端连接电阻R12的一端、三极管Q2的基极及三极管Q3的基极，三极管Q2的集电极连接供电电源，电阻R12的另一端与三极管Q3的集电极连接后的结点接地；所述电容C4与电阻R13并接后，一端连接三极管Q2的发射极、三极管Q3的发射极，另一端连接电阻R14的一端和场效应晶体管Q4的栅极，电阻R14的另一端与场效应晶体管Q4的漏极连接后的结点接地。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器脉冲调制驱动电路，其特征在于，所述激光器接口匹配电路包括电阻R15、二极管D1及电容C5；其中，所述电阻R15、二极管D1及电容C5均并接在激光管J1的两端。