[实用新型]侧面进声的硅麦克风封装结构有效
| 申请号: | 201420260426.6 | 申请日: | 2014-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN203840542U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 梅嘉欣;王刚;李刚;胡维 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 侧面 麦克风 封装 结构 | ||
1.一种侧面进声的硅麦克风封装结构,所述硅麦克风封装结构包括第一基板、MEMS传感器、ASIC芯片、连接所述MEMS传感器与所述ASIC芯片的引线以及固定于所述第一基板上的外壳,所述第一基板与所述外壳之间形成一个内部腔体,所述MEMS传感器与所述ASIC芯片安装于所述第一基板上且均暴露于所述内部腔体内,其特征在于:所述硅麦克风封装结构设有位于第一侧面的侧壁,所述侧壁设有向外贯穿所述第一侧面的声孔,所述声孔与所述内部腔体相连通。
2.如权利要求1所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述硅麦克风封装结构设有在高度方向上位于所述第一基板与所述外壳之间的介质层,所述外壳通过所述介质层而固定于所述第一基板上,所述声孔侧向贯穿所述介质层。
3.如权利要求2所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述介质层为镀层,或者阻焊剂,或者粘接剂。
4.如权利要求3所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述声孔由所述介质层不闭合的空缺形成。
5.如权利要求1所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述第一基板包括所述第一侧面以及暴露于所述内部腔体内的上表面,所述MEMS传感器与所述ASIC芯片位于所述上表面,所述声孔形成于所述上表面上且侧向贯穿所述第一侧面。
6.如权利要求5所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述声孔呈矩形且位于所述第一侧面的中部。
7.如权利要求5所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述第一基板包括与所述上表面相对设置的下表面,所述声孔进一步向下贯穿所述下表面。
8.如权利要求1所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述第一基板包括所述第一侧面、暴露于所述内部腔体内的上表面以及与所述上表面相对设置的下表面,所述MEMS传感器与所述ASIC芯片位于所述上表面;所述声孔包括相互连通的第一声孔以及第二声孔,其中所述第一声孔侧向贯穿所述第一侧面且向下贯穿所述下表面,所述第一声孔向上未贯穿所述上表面;所述第二声孔向上贯穿所述上表面。
9.如权利要求8所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述硅麦克风封装结构包括位于所述第一基板下方且与所述第一基板相贴合的第二基板,所述第二基板设有与所述第一侧面位于同一侧的第二侧面以及侧向贯穿所述第二侧面的声腔,所述声腔位于所述声孔的下方且与所述声孔连通,所述声腔与所述声孔共同形成一个声道。
10.如权利要求9所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述声腔在靠近所述第二侧面处与所述第一声孔靠近所述第一侧面处上下对齐,所述声腔在远离所述第二侧面处设有一个圆弧面。
11.如权利要求9所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述硅麦克风封装结构包括位于所述第一基板与所述第二基板之间且用以声学密封的镀层,所述第一基板及/或所述第二基板设有将电信号引出的导电通孔。
12.如权利要求7所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述硅麦克风封装结构包括位于所述第一基板下方且与所述第一基板相贴合的第二基板,所述声孔位于所述第二基板的上方且未向下贯穿所述第二基板。
13.如权利要求1所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述外壳包括侧板以及与所述侧板分开制作的盖板,所述侧板位于所述第一基板与所述盖板之间,所述侧板的下端固定于所述第一基板上,所述侧板的上端固定于所述盖板上,所述侧板包括所述第一侧面以及所述声孔,且所述声孔相较于所述第一基板更靠近所述盖板。
14.如权利要求1所述的硅麦克风封装结构,其特征在于:所述外壳包括顶壁,所述硅麦克风封装结构包括固定在所述顶壁上的盖板,所述盖板包括所述第一侧面,所述声孔包括相互连通的第一声孔以及第二声孔,其中所述第一声孔侧向贯穿所述第一侧面,所述第二声孔贯穿所述顶壁。
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