[实用新型]一种用于手持设备的漏感能量缓冲及回收电路有效
申请号: | 201420252048.7 | 申请日: | 2014-05-17 |
公开(公告)号: | CN203933374U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 徐云鹏 | 申请(专利权)人: | 徐云鹏 |
主分类号: | H02M1/34 | 分类号: | H02M1/34;H02M1/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330096 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 手持 设备 能量 缓冲 回收 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于电力电子驱动应用技术领域,尤其涉及一种用于手持设备的漏感能量缓冲及回收电路。
背景技术
在传统的直流变换器的工作电路中,由于器件开关速度较快,电路产生的di/dt,du/dt较大,在开关过程中存在着端电压和器件电流同时较大的情况,此时器件上的瞬时功率很大,极易产生局部热点,从而损坏器件。同时,传统电路对影响反激变换器效率的漏感能量没有进行吸收利用。
本实用新型提出的新型直流变换器漏感能量吸收电路,可以有效实现漏感能量的吸收及开关器件的软开关动作,适合开关电源、小功率逆变等场合,特别适合于快速环境检测仪的开关电路。
发明内容
针对上述现有技术存在的缺陷和不足,本实用新型的目的在于,提供一种用于手持设备的漏感能量缓冲及回收电路,它利用储能电容在功率器件断开瞬间吸收漏感能量并通过反馈电阻,将漏感能量回馈到输入电源,同时实现开关器件的软开关动作,有效实现了直流变换器漏感能量吸收及开关器件的软开关动作。
为了实现上述任务,本实用新型采用如下的技术解决方案:
一种用于手持设备的漏感能量缓冲及回收电路,包括储能电路、缓冲电路、保护电路、直流变换器T和MOS管Q;所述的储能电路由反馈电阻R1、储能电容C1、二极管D1组成,所述电阻R1接在二极管D1的正极与电容C1的正极之间,所述电容C1的负极与负电源V-相连,所述的二极管D1的负极与正电源V+相连;所述的缓冲电路由缓冲电容C2和C3、电阻R2以及二极管D2组成,所述电容C2接在二极管D2的负极与负电源V-之间,所述电容C3并联在直流变换器T的初级绕组两端,所述电阻R2接在二极管D2的正极与MOS管Q的漏极之间;所述的保护电路由电阻R0和电容C0组成,所述电阻R0接在二极管D0的正极与负电源V-之间,所述的二极管D0的负极接正电源V+;所述的直流变换器T的原边同名端连接电源正极V+,原边非同名端连接MOS管Q的漏极;所述的MOS管Q的源极接电源负极V-;所述的MOS管Q为英飞凌IPG20N06型场效应管。
本实用新型的有益效果是:
在开关管关断的瞬间,利用电容两端电压不能突变的基本原理,实现主管软关断,同时,直流变换器的漏感能量经过二极管D2转移到储能电容C1中,随着能量的增加,储能电容C1的电压不断上升,直至高于电源正极电压V+时,储能电容C1通过反馈电阻将储存的漏感能量回馈给输入电源。当电源电压过高是,保护电路的反相二极管D0被击穿,保护电阻R0限流,防止电路元件被烧坏。
该电路结构简单、成本低廉,可以利用储能电容在功率器件断开瞬间吸收漏感能量并通过反馈电阻,并将漏感能量回馈到输入电源,同时利用缓冲电容C2实现开关器件的软开关动作,该电路有效实现了直流变换器漏感能量的吸收及开关器件的软开关动作。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的解释说明。
图1 是电路原理图;
图1中,T为直流变换器,Q为MOS管,C1为储能电容,C2和C3为缓冲电容,D1、D2为二极管,R1和R2为电阻。
具体实施方式
图1 是电路原理图,该手持设备的漏感能量缓冲及回收电路,包括储能电路、缓冲电路、保护电路、直流变换器T和MOS管Q;所述的储能电路由反馈电阻R1、储能电容C1、二极管D1组成,所述电阻R1接在二极管D1的正极与电容C1的正极之间,所述电容C1的负极与负电源V-相连,所述的二极管D1的负极与正电源V+相连;所述的缓冲电路由缓冲电容C2和C3、电阻R2以及二极管D2组成,所述电容C2接在二极管D2的负极与负电源V-之间,所述电容C3并联在直流变换器T的初级绕组两端,所述电阻R2接在二极管D2的正极与MOS管Q的漏极之间;所述的保护电路由电阻R0和电容C0组成,所述电阻R0接在二极管D0的正极与负电源V-之间,所述的二极管D0的负极接正电源V+;所述的直流变换器T的原边同名端连接电源正极V+,原边非同名端连接MOS管Q的漏极;所述的MOS管Q的源极接电源负极V-;所述的MOS管Q为英飞凌IPG20N06型场效应管。
除了上述以外本发明所属技术领域的普通技术人员也都能理解到,在此说明和图示的具体实施例都可以进一步变动结合。例如,可以将英飞凌场效应管根据实际工况更换为其他类型的MOS管。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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