[实用新型]等离子体刻蚀机台有效
| 申请号： | 201420235205.3 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN203895414U | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 机台 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体刻蚀机台，其特征在于，包括：反应腔室；设置于所述反应腔室顶部的顶盘；设置于所述顶盘上的径向线槽天线；设置于所述顶盘上的脉冲电感耦合线圈；以及设置于所述反应腔室底部的静电吸盘。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，还包括脉冲电源，所述脉冲电源与所述静电吸盘连接。
3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，所述脉冲电源的频率为100KHz～100MHz。
4.如权利要求2所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，所述径向线槽天线、脉冲电感耦合线圈以及脉冲电源能够被同步或者异步开启。
5.如权利要求1所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，还包括喷淋盘，所述喷淋盘固定于所述顶盘上。
6.如权利要求5所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，所述喷淋盘的材质为石英。
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，所述静电吸盘分为多个独立温控区。
8.如权利要求7所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，每个独立温控区的温度调节范围为0℃～200℃。
9.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，所述顶盘与静电吸盘之间的距离能够调节。
10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀机台，其特征在于，所述顶盘与静电吸盘之间的距离的调节范围为10mm～50mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
