[实用新型]外延生长用石墨承载盘有效
| 申请号： | 201420233304.8 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN203839356U | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 谢祥彬;刘兆;刘恒山;宋长伟 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 生长 石墨 承载 | ||
【权利要求书】：
1.外延生长用石墨承载盘，包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆片，定义以晶圆片为界，将所述晶圆凹槽的内边缘分为上下两部分，其特征在于：所述晶圆凹槽的内边缘上部具有突出部。
2.根据权利要求1所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述突出部由连续分布或不连续间隔分布的图案组成。
3.根据权利要求2所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述图案的形状为三角形、四边形、五边形、六边形或弧形。
4.根据权利要求2所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述图案呈周期性分布。
5.根据权利要求2所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述图案个数≥4。
6.根据权利要求1所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述晶圆凹槽内边缘上部突出部的宽度为0.01mm~2mm。
7.根据权利要求1所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述晶圆凹槽内边缘下部为下凹台阶或具有突起部或其组合。
8.根据权利要求7所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述晶圆片的直径D1与台阶内径D2关系为：0≤D1-D2＜1mm。
9.根据权利要求7所述的外延生长用石墨承载盘，其特征在于：所述晶圆凹槽内边缘下部的台阶宽度为0.2mm~1.8mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
