[实用新型]微流控表面增强拉曼测试芯片

权利要求书

1.一种微流控表面增强拉曼测试芯片，其特征在于，包括：

第一硬质基板(20)；

第二硬质基板(30)，与所述第一硬质基板(20)相对平行设置；以及

由具有SERS活性的金属材料形成的金属层(40)，设置在所述第一硬质基板(20)和所述第二硬质基板(30)之间，并由所述第一硬质基板(20)延伸至所述第二硬质基板(30)；

其中，所述金属层(40)包括由多个金属柱(12)形成的金属柱群，每一所述金属柱(12)沿从所述第一硬质基板(20)到所述第二硬质基板(30)的厚度方向延伸，并且所述金属柱群中任意两个相邻的所述金属柱(12)之间形成供待测流体通过的微流道(13)。

2.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述金属柱(12)在垂直于其延伸方向上的截面的尺寸为纳米量级。

3.根据权利要求1或2所述的测试芯片，其特征在于，所述第一硬质基板(20)由透明且导电的材料制成，所述金属柱群从所述第一硬质基板(20)开始朝向所述第二硬质基板(30)的厚度方向延伸。

4.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述金属层(40)还包括位于所述金属柱群与所述第二硬质基板(30)之间的金属覆盖膜(14)，所述金属覆盖膜(14)与所述金属柱群一体成型。

5.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述微流控表面增强拉曼测试芯片还包括分别设置在所述第一硬质基板(20)与所述金属层(40)之间的第一粘结层，以及设置在所述第二硬质基板(30)与所述金属层(40)之间的第二粘结层；所述第一粘结层由透明导电粘结剂形成。

6.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述金属柱群垂直于所述第一硬质基板(20)和所述第二硬质基板(30)设置。

7.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述金属柱群中每个所述金属柱(12)的竖直高度为3μm～12μm。

8.根据权利要求7所述的测试芯片，其特征在于，所述金属柱群中每个所述金属柱(12)的竖直高度为6μm。

9.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述金属柱(12)的密度为1ⅹ10⁸个/cm²～6ⅹ10⁸个/cm²。

10.根据权利要求1所述的测试芯片，其特征在于，所述金属柱(12)为圆柱结构时，所述金属柱(12)的直径为10nm～400nm。