[实用新型]一种抑制频率偏移的调频电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种抑制频率偏移的调频电路。

背景技术

调频(FM)，就是高频载波的频率不是一个常数，是随调制信号而在一定范围内变化的调制方式，其幅值则是一个常数。现有在调频过程中常常会发生频率偏移，使得通信质量下降。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种抑制频率偏移的调频电路，解决现有调频过程中频率偏移、通信质量低的问题。

本实用新型是这样实现的：

一种抑制频率偏移的调频电路，包括电容C1，电容C1的一端与射频输入端、电阻R2的一端和三极管Q1的基极连接，电容C1的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与电容C6的一端、电阻R4的一端、电感L2的一端、电容C5的一端、电源正极和电阻R3的一端连接，电容C6的另一端与电源负极连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端、电感L1的一端和三极管Q1的集电极连接，电感L1的另一端与二极管D1的负极和晶振Z1的一端连接，晶振Z1的另一端与电阻R6的一端和电阻R4的另一端连接，电感L2的另一端与电容C5的另一端、射频输出端和三极管Q2的集电极连接，三极管Q2的基极与电容C3的一端连接，电容C3的另一端与电容C4的一端、三极管Q2的发射极和电阻R5的一端连接，三极管Q1的发射极、二极管D1的正极、电阻R6的另一端、电阻C4的另一端、电阻R5的另一端与电源负极连接。

本实用新型的优点在于：可有效地抑制频率偏移，大大提高通信质量。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1所示，一种抑制频率偏移的调频电路，包括电容C1，电容C1的一端与射频输入端、电阻R2的一端和三极管Q1的基极连接，电容C1的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与电容C6的一端、电阻R4的一端、电感L2的一端、电容C5的一端、电源正极和电阻R3的一端连接，电容C6的另一端与电源负极连接，电阻R2的另一端与电阻R3的一端、电感L1的一端和三极管Q1的集电极连接，电感L1的另一端与二极管D1的负极和晶振Z1的一端连接，晶振Z1的另一端与电阻R6的一端和电阻R4的另一端连接，电感L2的另一端与电容C5的另一端、射频输出端和三极管Q2的集电极连接，三极管Q2的基极与电容C3的一端连接，电容C3的另一端与电容C4的一端、三极管Q2的发射极和电阻R5的一端连接，三极管Q1的发射极、二极管D1的正极、电阻R6的另一端、电阻C4的另一端、电阻R5的另一端与电源负极连接。

以下对本电路进行详细说明，本实用新型整个电路由射频输入放大和高频振荡两大部分组成。射频输入放大电路中的电阻R2、电阻R3、三极管Q1构成集电极负反馈放大器，用于对射频输入的弱信号进行放大。三极管Q2与电容C3，电容C4构成晶体振荡器，电感L2和电容C5组成的谐振电路的谐振中心频率置为晶振Z1的整数倍。

假设晶振Z1是A频率，那么谐振中心频率就可以设计成A*N(即A的整数倍)。电感L1为高频扼流线圈，防止后面的高频信号回窜入射频输入放大区造成干扰。

射频输入端信号经过放大后的信号直接加在可调耐压的二极管D1的两端，振荡电路的中心频率就随着射频输入信号的幅值在频谱中心频率点位跟随变化，可以有效地抑制频率偏移，达到提高通信质量目的。

以上所述实施方式，只是本实用新型的较佳实施方式，并非来限制本实用新型实施范围，故凡依本实用新型申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括本实用新型专利申请范围内。