[实用新型]双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产设备有效
申请号: | 201420224365.8 | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN203960320U | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 郭爱云 | 申请(专利权)人: | 红安华州光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 438400 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 氧化 磁控溅射 镀膜 生产 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种导电膜生产设备,尤其是一种结构简单可靠、操作方便、镀膜效果好的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产设备。
背景技术
目前,双面消影触摸屏的导电膜多为通过依次设置的进口真空腔体、工艺腔体和出口真空腔体完成,功能单一,效率低下。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供了一种结构简单可靠、操作方便、效率高的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产设备。
实现本实用新型目的的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产设备,包括机架,所述机架上依次设置有进口真空腔体、进口缓冲真空腔体、进口过渡腔体、工艺真空腔体、出口真空腔体、出口缓冲真空腔体和出口过渡腔体;
所述机架上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带;
所述工艺真空腔体为9个,所述每个工艺真空腔体都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb2Ox阳极;或1到8对SiOx阳极;或1到6对Ito阳极;
所述进口真空腔体内配备有1到2组低真空抽气系统;
所述进口缓冲真空腔体和出口缓冲真空腔体内配备1到2组高真空抽气系统;
所述工艺真空腔体内配备2到3组维持高真空抽气系统。
本生产设备结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
附图说明
图1为本实用新型的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产设备的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型所述的双面消影氧化铟锡磁控溅射镀膜生产设备,包括机架8,所述机架8上依次设置有进口真空腔体1、进口缓冲真空腔体2、进口过渡腔体3、工艺真空腔体4、出口真空腔体5、出口缓冲真空腔体6和出口过渡腔体7;
所述机架8上、贯穿上述腔体设置有触摸屏基片输送带9;
所述工艺真空腔体4为9个,所述每个工艺真空腔体9都布置有2对阴极,所述9个工艺真空腔体9可布置18对阳极,所述18对阳极中,含有18对Nb2Ox阳极;或1到8对SiOx阳极;或1到6对Ito阳极;
所述进口真空腔体1内配备有1到2组低真空抽气系统;
所述进口缓冲真空腔体2和出口缓冲真空腔体6内配备1到2组高真空抽气系统;
所述工艺真空腔体4内配备2到3组维持高真空抽气系统。
本生产设备结构合理,功能先进,工作效率高,有利于推广使用。
上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的范围进行限定,在不脱离本实用新型设计精神前提下,本领域普通工程技术人员对本实用新型技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
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