[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置有效
申请号: | 201420222657.8 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN203826391U | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 李会;崔贤植;方正;王海燕;田允允 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1337;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 液晶 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上由栅线和数据线围设而成的多个子像素区域,每一子像素区域设置有:薄膜晶体管TFT、位于所述TFT上方的公共电极,以及位于所述公共电极上方的取向膜;
所述取向膜的取向方向与所述栅线的延伸方向具有设定夹角,所述公共电极上与所述TFT对应的区域设置有沿设定方向延伸的镂空区域,所述镂空区域的延伸方向与所述取向膜的取向方向一致。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述TFT包括有源层,所述镂空区域位于所述有源层上方,所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述镂空区域在所述衬底基板上的投影内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域的纵截面的形状为倒梯形。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域的横截面为平行四边形。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域为倒置四棱台结构。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述倒置四棱台状的镂空区域具有靠近所述取向膜的第一开口和远离所述取向膜的第二开口,所述第一开口图形的任意一边与所述第二开口图形中相平行的一边在衬底基板上的投影之间的距离为1-3μm。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一开口图形的任意一边与所述第二开口图形中相平行的一边在衬底基板上的投影之间的距离为1.5μm。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极为面状电极或狭缝状电极;
所述狭缝状电极的狭缝在公共电极上的分布区域与所述子像素区域中除TFT之外的区域相对应。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述子像素区域的像素电极,所述像素电极位于所述公共电极的下方与所述公共电极相绝缘,所述像素电极为狭缝状电极。
10.一种液晶显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一权项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的