[实用新型]一种P型硅衬底背面接触式太阳电池有效

申请号：	201420217512.9	申请日：	2014-04-30
公开（公告）号：	CN203910813U	公开（公告）日：	2014-10-29
发明（设计）人：	贾河顺;姜言森;方亮;刘兴村;任现坤;张春艳;马继磊	申请（专利权）人：	山东力诺太阳能电力股份有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/18
代理公司：	济南舜源专利事务所有限公司 37205	代理人：	于晓晓
地址：	250103 山东省济南***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	一种衬底背面接触太阳电池
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【权利要求书】：

1.一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，P型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；P型硅衬底背光面为相互交替的P型层部分与N型层部分，P型层部分依次为P型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与P型硅衬底接触的电极；N型层部分依次为P型硅衬底、N型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与N型晶硅层连接的电极。

2. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，N型晶硅层、受光面或背光面的减反射层的厚度为1-5000nm。

3. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，N型晶硅层厚度为0.2um。

4. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，受光面的减反射层厚度为80nm。

5. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，背光面的减反射层厚度为120nm。

6. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，受光面或背光面的减反射层为SiO_x，Al₂O₃，SiN_x中的一种或几种的叠层结构。

7. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，受光面的减反射层为SiO_x/ SiN_x的一层以上叠层结构。

8. 根据权利要求1所述一种P型硅衬底背面接触式太阳电池结构，其特征在于，背光面的减反射层为Al₂O₃/SiN_x的一层以上叠层结构。

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